Zobrazeno 1 - 10
of 147
pro vyhledávání: '"B. Bodermann"'
Autor:
J. Grundmann, B. Bodermann, E. Ermilova, M. Weise, A. Hertwig, P. Klapetek, J. Rafighdoost, S. F. Pereira
Publikováno v:
Journal of Sensors and Sensor Systems, Vol 13, Pp 109-121 (2024)
In power electronics, compound semiconductors with large bandgaps, like silicon carbide (SiC), are increasingly being used as material instead of silicon. They have a lot of advantages over silicon but are also intolerant of nanoscale material defect
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/83656a545d784c488a8d255794f96aa5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B. Bodermann, H. Bosse
Publikováno v:
Optoelectronics Letters. 4:81-85
The requirements on the precision of dimensional metrology are especially stringent in the area of semiconductor manufacturing. This holds in particular for the measurement and control of the linewidths of the smallest structures on masks and silicon
Publikováno v:
The European Physical Journal D - Atomic, Molecular and Optical Physics. 28:199-209
A precise description of the B-X spectrum of the I2 molecule has been developed. All presently available high precision measurements on the B-X spectrum of the I2 molecule in the visible were introduced into a model based on molecular potentials for
Publikováno v:
The European Physical Journal D. 19:31-44
Based on new systematic high precision measurements of hyperfine splittings in different rovibrational bands of 127I2 in the near infrared spectral range between 778 nm and 816 nm, and the data in the range from 660 nm to 514 nm available from litera
Publikováno v:
The European Physical Journal D. 11:213-225
Frequency measurements of 16 lines of I2 in the near infrared have been performed using different Rb frequency references: diode lasers stabilised to the Rb D1 line at 377 THz, to the Rb D2 line at 384 THz and to the 5 s -5 d two photon transition at
Publikováno v:
Applied Physics B: Lasers and Optics. 67:95-99
lines have been carried out using difference-frequency mixing of the emission of CH4 and Ca frequency standards at 88 THz (or 3.4 μm) and 456 THz (or 657 nm), respectively. A power of ≈10 pW for the mixing product at 815 nm was obtained using a cr
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.