Zobrazeno 1 - 10
of 103
pro vyhledávání: '"B. Beier"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Petersen, B. Beier
Publikováno v:
Oikos, 1960 Jan 01. 11(1), 72-79.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/3564884
Autor:
C De Coster, D Hertens, B. Beier, S Vankerckhove, J-B Valsamis, S Etbaz, Liesbeth Vandermeeren, J-P Belgrado, I. Jeanjot, Fabienne Liebens, Birgit Carly
Publikováno v:
Cancer Research. 77:P3-13
This abstract was not presented at the symposium.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Oliver Hohn, B. Beier, Thorsten Dullweber, Jan Schmidt, Boris Veith, Christopher Kranz, Björn Roos, Torsten Dippell, Rolf Brendel
Publikováno v:
Solar Energy Materials and Solar Cells. 112:196-201
Passivated emitter and rear cells (PERC) are considered to be the next generation of industrial-type screen-printed silicon solar cells. Deposition methods for rear passivation layers have to meet both the high-throughput and low-cost requirements of
Publikováno v:
Applied Physics B: Lasers and Optics. 66:287-293
=1.1). The detailed experimental characterization includes the measurement of the output power as a function of the optical and electrical input power as well as the measurement of the dependence of the small signal gain, the saturation power and the
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
We report on diode-laser-pumped, continuous-wave (CW) optical parametric oscillators (OPO). The results describe the operation and characterization of doubly and triply resonant CW-OPOs (DRO, TRO) based on the non-linear materials (KTP) and (RTA) and
Publikováno v:
Applied Physics B Lasers and Optics. 58:381-388
A TEM00 single-frequency, diode-pumped microchip laser of Nd(25%):LaSc3(BO3)4 is operated with an output power of 180 mW. For best performance the laser was pumped by the 450 mW diffraction-limited single-frequency radiation of an injection-locked Al
Publikováno v:
ChemInform. 23