Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"B. Baker-O'Neal"'
Autor:
B. Sapp, B. Bunday, P. Hansen, W. Advocate, C. Hobbs, T. Murray, E. Barth, D. Ashworth, S. S. Papa Rao, S. Novak, S. Bennett, S. Olson, C. C. Hung, R. Goldblatt, P. Kearney, Kevin Osborn, J. Hedrick, D. DiPaola, Eric Holland, Brendan O'Brien, M. Rodgers, B. Baker-O'Neal, M. Malloy, N Foroozani
Qubit information processors are increasing in footprint but currently rely on e-beam lithography for patterning the required Josephson junctions (JJs). Advanced optical lithography is an alternative patterning method, and we report on the developmen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::87c1e9696a47299f14fd4dbd21f53688
http://arxiv.org/abs/1902.08501
http://arxiv.org/abs/1902.08501
Autor:
C.-K. Hu, L. M. Gignac, B. Baker-O'Neal, E. Liniger, R. Yu, P. Flaitz, A. K. Stamper, Shinichi Ogawa, Paul S. Ho, Ehrenfried Zschech
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Electromigration behavior in Cu damascene wires was studied for various metal line widths, thicknesses and grain sizes where the grain size was modulated by Cu linewidth and thickness, and by adjusting the wafer annealing process step after Cu electr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::61b6c881f663473157e5835713f08a96
https://doi.org/10.1063/1.2815782
https://doi.org/10.1063/1.2815782
Autor:
M. Ieong, C.Y. Sung, S. Deshpande, X. Chen, L. Deligianni, S. Cohen, C. Brodsky, S. Allen, C. Ouyang, Y. Li, B. Haran, A. Simon, B. Baker-O'Neal, C.-C. Yang, S. Rossnagel, R. Knarr, X. Shao, K. Wong, C. Sheraw, A. Topol
Publikováno v:
2006 Symposium on VLSI Technology, 2006. Digest of Technical Papers..
A key challenge for high performance CMOS devices is the external parasitic resistance. This paper addresses scaling trends of contact level and discusses emerging constraints related to the properties of materials used in the current technology. Exp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e8dd0225033aa30a83d1e7094b5c25d0
https://doi.org/10.1109/vlsit.2006.1705244
https://doi.org/10.1109/vlsit.2006.1705244
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N Foroozani, C Hobbs, C C Hung, S Olson, D Ashworth, E Holland, M Malloy, P Kearney, B O’Brien, B Bunday, D DiPaola, W Advocate, T Murray, P Hansen, S Novak, S Bennett, M Rodgers, B Baker-O’Neal, B Sapp, E Barth
Publikováno v:
Quantum Science & Technology; Apr2019, Vol. 4 Issue 2, p1-1, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.