Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"B. Amirhekmat"'
Autor:
Ih-Chin Chen, Richard A. Chapman, P.J. Chen, Sunil V. Hattangady, H.-L. Tsai, Jiong-Ping Lu, L.K. Magel, George A. Brown, Antonio L. P. Rotondaro, J.C. Hu, H. Yang, J.D. Luttmer, B. Amirhekmat, Robert Kraft
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest.
CVD W/CVD TiN stacks are studied for the first time as gate electrodes on 3 nm gate oxide and compared with the CVD W/PVD (sputtering) TiN gate stacks and the baseline n/sup +/ poly gate. It is found that the PVD TiN has higher metal-to-SiO/sub 2/ ba
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2353e97d0eb39a38bbc1a2ea208ce47c
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650423
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650423
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.