Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"B Mensching"'
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. 70:53-57
Ca has been considered as a promising shallow acceptor in GaN and was chosen as a dopant for ion implantation with energy of 180 keV at room temperature. The as-implanted GaN films were characterized by Rutherford backscattering channeling, Raman spe
Ion implantation in GaN at liquid-nitrogen temperature: Structural characteristics and amorphization
Publikováno v:
Physical review / B 57(4), 2530-2535 (1998). doi:10.1103/PhysRevB.57.2530
Physical review / B 57(4), 2530 - 2535 (1998). doi:10.1103/PhysRevB.57.2530
This paper deals with the results of a systematic investigation of damage generation and accumulation until amorphization induced by 180 keV Ca+ and Ar+ implantation in
This paper deals with the results of a systematic investigation of damage generation and accumulation until amorphization induced by 180 keV Ca+ and Ar+ implantation in
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 72:2589-2591
Raman measurements were performed on molecular beam epitaxially grown GaN before and after implantation with Ar+, Mg+, P+, C+, and Ca+ ions. With increasing ion dose, new Raman peaks arise at 300, 360, 420, and 670 cm−1, independent of the ion spec
Autor:
Max Steger, A. Hildebrandt, Thomas Dr Scheiter, B. Mensching, C. Hierold, R. Tielert, U. Naher
Publikováno v:
Proceedings of Ninth International Workshop on Micro Electromechanical Systems.
A pure CMOS integrated accelerometer was realised using surface micromachining as structural technique. The samples were fabricated by a 14 mask 0.8 /spl mu/m CMOS standard process in a Siemens production line. Only the standard layers of the process
Autor:
Florian Kurth, Michael Schmidt, S. Fischer, F. Anders, Bruno K. Meyer, G Steude, J. Holst, Frank Bertram, Jürgen Christen, B Mensching, L. Eckey, Detlev M. Hofmann, Axel Hoffmann, B Rauschenbach, M. Topf
We studied the recombination at about 3.410 eV in nominally undoped GaN and highly oxygen-doped GaN by photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL). For this line we find an upper limit for the thermal activation energy of EA⩽21±3 meV. In t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::12f8ab82552104811b69eb03d14fb812
https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/25917
https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/25917
The 180 keV Ca+ and Ar+ ions were homogeneously implanted in GaN at temperature of liquid nitrogen. High resolution x-ray diffraction was used to monitor the change of GaN (0002) peak with the dose ranging from 5×1012 to 1×1016 cm−2. It has been
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::129dc35fc2bca43c9a6784a3a4729f9b
https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/24530
https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/24530
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 71:3448-3448
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.