Zobrazeno 1 - 10
of 199
pro vyhledávání: '"B Govoreanu"'
Autor:
D P Lozano, M Mongillo, X Piao, S Couet, D Wan, Y Canvel, A M Vadiraj, Ts Ivanov, J Verjauw, R Acharya, J Van Damme, F A Mohiyaddin, J Jussot, P P Gowda, A Pacco, B Raes, J Van de Vondel, I P Radu, B Govoreanu, J Swerts, A Potočnik, K De Greve
Publikováno v:
Materials for Quantum Technology, Vol 4, Iss 2, p 025801 (2024)
The performance of state-of-the-art superconducting quantum devices is currently limited by microwave dielectric loss at different interfaces. α -tantalum is a superconductor that has proven effective in reducing dielectric loss and improving device
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f667fe9bc976494d925c93275af4b5ca
Autor:
J. Verjauw, R. Acharya, J. Van Damme, Ts. Ivanov, D. Perez Lozano, F. A. Mohiyaddin, D. Wan, J. Jussot, A. M. Vadiraj, M. Mongillo, M. Heyns, I. Radu, B. Govoreanu, A. Potočnik
Publikováno v:
npj Quantum Information, Vol 8, Iss 1, Pp 1-7 (2022)
Abstract As the superconducting qubit platform matures towards ever-larger scales in the race towards a practical quantum computer, limitations due to qubit inhomogeneity through lack of process control become apparent. To benefit from the advanced p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/71bd3002224e4daab1fe7e4c94ec8979
Autor:
A. Velea, K. Opsomer, W. Devulder, J. Dumortier, J. Fan, C. Detavernier, M. Jurczak, B. Govoreanu
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-12 (2017)
Abstract The implementation of dense, one-selector one-resistor (1S1R), resistive switching memory arrays, can be achieved with an appropriate selector for correct information storage and retrieval. Ovonic threshold switches (OTS) based on chalcogeni
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2bd26a42955f4c44a4582f06d5722f80
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Grill, V. John, J. Michl, A. Beckers, E. Bury, S. Tyaginov, B. Parvais, A. Vaisman Chasin, T. Grasser, M. Waltl, B. Kaczer, B. Govoreanu
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::840bd7d9bba2e72148b1a6a376b4fcc5
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764594
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764594
Autor:
J. Michl, A. Grill, B. Stampfer, D. Waldhoer, C. Schleich, T. Knobloch, E. Ioannidis, H. Enichlmair, R. Minixhofer, B. Kaczer, B. Parvais, B. Govoreanu, I. Radu, T. Grasser, M. Waltl
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ccdaf37f803b207bd93564c902771a1a
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720501
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720501
Autor:
M. Mongillo, A. Potocnik, J. Verjauw, F.A. Mohiyaddin, T. Ivanov, R Acharya, X. Piao, D.Perez Lozano, D. Wan, A. Pacco, J. Jussot, L. Souriau, A. M. Vadiraj, J. Swerts, S Couet, L. Goux, B. Govoreanu, P. Iuliana, null Radu
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c20cfbbb9c28f44c0297a18fd84af77
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720648
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720648
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T N Camenzind, A Elsayed, F A Mohiyaddin, R Li, S Kubicek, J Jussot, P Van Dorpe, B Govoreanu, I Radu, D M Zumbühl
Publikováno v:
Materials for Quantum Technology
The quality of the semiconductor-barrier interface plays a pivotal role in the demonstration of high quality reproducible quantum dots for quantum information processing. In this work, we have measured SiMOSFET Hall bars on undoped Si substrates in o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::983ab72da4763f1ef4f1951e3ef13fc2
https://edoc.unibas.ch/87556/
https://edoc.unibas.ch/87556/
