Zobrazeno 1 - 10
of 150
pro vyhledávání: '"B Bodermann"'
Autor:
J. Grundmann, B. Bodermann, E. Ermilova, M. Weise, A. Hertwig, P. Klapetek, J. Rafighdoost, S. F. Pereira
Publikováno v:
Journal of Sensors and Sensor Systems, Vol 13, Pp 109-121 (2024)
In power electronics, compound semiconductors with large bandgaps, like silicon carbide (SiC), are increasingly being used as material instead of silicon. They have a lot of advantages over silicon but are also intolerant of nanoscale material defect
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/83656a545d784c488a8d255794f96aa5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B. Bodermann, H. Bosse
Publikováno v:
Optoelectronics Letters. 4:81-85
The requirements on the precision of dimensional metrology are especially stringent in the area of semiconductor manufacturing. This holds in particular for the measurement and control of the linewidths of the smallest structures on masks and silicon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c2cd775a9e8a3899ff531561fc155211
https://doi.org/10.1007/s11801-008-7095-6
https://doi.org/10.1007/s11801-008-7095-6
Publikováno v:
The European Physical Journal D - Atomic, Molecular and Optical Physics. 28:199-209
A precise description of the B-X spectrum of the I2 molecule has been developed. All presently available high precision measurements on the B-X spectrum of the I2 molecule in the visible were introduced into a model based on molecular potentials for
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e8990c881c008bc4e19f0518fc4fa641
https://doi.org/10.1140/epjd/e2003-00313-4
https://doi.org/10.1140/epjd/e2003-00313-4