Zobrazeno 1 - 10 of 28 pro vyhledávání: '"Böbel, F.G."'
1
In situ real-time temperature and thickness measurement for Si/SiGe growth on MBE and RTCVD systems
Autor: Möller, H., Böbel, F.G., Hertel, B., Lindenberg, T., Ritter, G.
For in situ film thickness and temperature control RSPI has been proven to be a standard measurement tool for a wide range of material combinations (Si, GaAs, GaAlAs, GaN, InAs, InP, etc.) and technologies (MBE/CBE, Si-oxidation, RTCVD, leading to in
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::efeaba1a6b63cf93c47de6406478192a
https://doi.org/10.1016/b978-0-444-82411-0.50070-x
Zobrazit plný text záznamu
2
In situ film-thickness and temperature monitor
Autor: Böbel, F.G., Möller, H., Hertel, B., Ritter, G., Chow, P.
A measurement instrument based on reflection-supported pyrometric interferometry (RSPI) has demonstrated a capability for concurrent, real-time, in situ measurement of film thickness and temperature. Resolution of thickness and temperature is 1 nm an
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::57564712da2dbc426e7b1151e4fffbdb
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/184692
Zobrazit plný text záznamu
3
Pyrometric Interferometry (PI) for real time MBE process monitoring
Autor: Böbel, F.G., Möller, H., Hertel, B., Wowchak, A., Hove, J. van, Chow, P.
Pyrometric Interferometry (PI) has recently been demonstrated for simultaneous real time wafer temperature and thickness measurement during the molecular beam epitaxy (MBE) process. Both parameters of the thin film layer can be determined from the ch
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::bf0447c7191e19347b48d95926f303bb
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/185114
Zobrazit plný text záznamu
4
In situ film thickness and temperature monitoring of MBE-growth of vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) by reflexion supported pyrometric interferometry (RSPI)
Autor: Böbel, F.G.
In this application note, the PYRITTE Measurement system is used to simultaneously monitor film thickness and temperature during MBE growth by employing reflexion support pyrometric interferometry (RSPI). The devices grown are VCSELs (Vertical Cavity
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::5b37bcb742d563011051216267d60dc8
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/287681
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje