Zobrazeno 1 - 10
of 122
pro vyhledávání: '"B, Boudart"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69 (11), pp.6010-6015. ⟨10.1109/TED.2022.3209636⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69 (11), pp.6010-6015. ⟨10.1109/TED.2022.3209636⟩
International audience; The aim of this article is to detect electron traps in AlInN/GaN transistors operating at room temperature by combining pulsed electrical measurement with photoionization techniques to rapidly assess their activation energies
Publikováno v:
Biofouling. 38:271-285
Mackinawite was biologically synthetized by immersing carbon steel coupons in artificial seawater containing Sulphate-Reducing Bacteria (SRB) for 6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. El Fallah, J.C. Pesant, R. Coq Germanicus, Y. Guhel, Philippe Descamps, Jérôme Bernard, A. Besq, B. Boudart, T. Toloshniak
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2015
Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 30, pp.352-360. ⟨10.1016/j.mssp.2014.10.010⟩
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2015, 30, pp.352-360. ⟨10.1016/j.mssp.2014.10.010⟩
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2015
Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 30, pp.352-360. ⟨10.1016/j.mssp.2014.10.010⟩
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2015, 30, pp.352-360. ⟨10.1016/j.mssp.2014.10.010⟩
International audience; The impact of the heating rate (HR) of a Rapid Thermal Annealing (RTA) on the crystallinity and on the morphology of CeO2 thin films has been investigated by Raman Spectroscopy (RS), Photoluminescence (PL), Scanning Electron M
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f37bdeeff868581cbbbd23c14a830440
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02936078
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02936078
Publikováno v:
Journal of Raman Spectroscopy. 31:615-618
GaN material was synthesized by implantation of N ion into a GaAs (001) semi-insulating substrate. After implantation, different annealing treatments were applied and the results were investigated using UV Raman spectroscopy. More particularly, tempe
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.