Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Characterization on AlGaN/GaN/Si HEMTs devices passivated with SiN/SiO2

Autor: Mosbahi, H., Gassoumi, M., Zaidi, M.A., SBRUGNERA-AVRAMOVIC, V., Gaquière, Christophe, Grimbert, B., Maaref, H.

Publikováno v: Proceedings of 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4215aaf4b4d5d5c6610578934864a825
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00801155