Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"Aviñó Salvadó, Oriol"'
Autor:
Aviñó Salvadó, Oriol
Les MOSFET en SiC sont appelées à remplacer les IGBT en Silicium pour des applications de demandant une plus forte vitesse de commutation. Cependant, les MOSFET en SiC ont encore quelques problèmes de fiabilité, tels que la robustesse de la diode
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018LYSEI110/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2018 88-90:636-640
Autor:
Sabbah, Wissam, Bondue, Pierre, Avino-Salvado, Oriol, Buttay, Cyril, Frémont, Hélène, Guédon-Gracia, Alexandrine, Morel, Hervé
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2017 76-77:362-367
Autor:
Sabbah, Wissam, Arabi, Faical, Avino-Salvado, Oriol, Buttay, Cyril, Théolier, Loïc, Morel, Hervé
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2017 76-77:444-449
Autor:
Aviñó-Salvadó, Oriol, Restrepo, Carlos, Romero, Alfonso, Giral, Roberto, Calvente, Javier, Vidal-Iriarte, Enric
Se presenta un equipo de medida para el monitoraje de la tasa de exceso de oxígeno en pilas de combustible PEM. Igualmente se presenta un método simplificado de cálculo permitiendo reducir notablemente la potencia de cálculo requerida para la est
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4881988bfd7939064aadc63a98796bb7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 67 (1), pp.63-68. ⟨10.1109/TED.2019.2955181⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 67 (1), pp.63-68. ⟨10.1109/TED.2019.2955181⟩
International audience; The behaviour of the barrier height of the SiC/SiO 2 interface has been investigated over a wide temperature range, from 173 to 523 K. These data complement literature, providing a better knowledge of this parameter, which was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f2af801c4051c44d8d24706988ab72d9
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02418097/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02418097/document