Zobrazeno 1 - 10
of 625
pro vyhledávání: '"Avalanche multiplication."'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 385-398 (2023)
In this work, we demonstrate and model the deep-level defect physics of semi-insulating gallium arsenide bulk photoconductive semiconductor switches (PCSS) with gap size of $10 ~\mu \text{m}$ and $25 ~\mu \text{m}$ in dark-mode operation. Experimenta
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f40f53b06d3f420dbf36699980fb9bca
Publikováno v:
Inorganics, Vol 11, Iss 7, p 303 (2023)
In this article, the performance and design considerations of the planar structure of germanium on silicon avalanche photodiodes are presented. The dependences of the breakdown voltage, gain, bandwidth, responsivity, and quantum efficiency on the rev
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/04fffd21eede4d4385a3d56543ab2e8a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 5, p 649 (2022)
High-performance waveguide-integrated Ge/Si APDs in separate absorption, charge, and multiplication (SACM) schemes have been exploited to facilitate energy-efficient optical communication and interconnects. However, the charge layer design is complex
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0868486b646741f7bb2842ad9fc60ad1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yuang-Tung Cheng, Tsung-Lin Lu, Shang-Husuan Wang, Jyh-Jier Ho, Chung-Cheng Chang, Chau-Chang Chou, Jiashow Ho
Publikováno v:
Sensors, Vol 22, Iss 3, p 1243 (2022)
This paper explores poly-silicon-germanium (poly-SiGe) avalanche photo-sensors (APSs) involving a device of heterojunction structures. A low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) technique was used to deposit epitaxial poly-SiGe thin films. The
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2fa7f45f186842ebb972723f4592ed27
Publikováno v:
Sensors, Vol 22, Iss 3, p 924 (2022)
The trend related to reach the high operating temperature condition (HOT, temperature, T > 190 K) achieved by thermoelectric (TE) coolers has been observed in infrared (IR) technology recently. That is directly related to the attempts to reduce the I
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/044f6f94f9c2486f8ec8459cb4dfb107
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.