Zobrazeno 1 - 10
of 739
pro vyhledávání: '"Auger spectroscopy"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 2, p 339 (2023)
This paper reviews a procedure that allows for extracting primary photoelectron or Auger electron emissions from homogeneous isotropic samples. It is based on a quantitative dielectric description of the energy losses of swift electrons travelling ne
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9397913f1c3a4f4ab5252a79de98e44b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Maëva L’héronde, Muriel Bouttemy, Florence Mercier-Bion, Delphine Neff, Emilande Apchain, Arnaud Etcheberry, Philippe Dillmann
Publikováno v:
Heritage, Vol 2, Iss 3, Pp 2640-2651 (2019)
In the framework of the protection of copper objects exposed to atmospheric corrosion, different solutions are envisaged, among them carboxylate treatments (HC10). In this study, an analytical approach based on complementary techniques from micromete
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/05598314863e454b85b19f66e3ca5cd9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
David Garagnani, Paola De Padova, Carlo Ottaviani, Claudio Quaresima, Amanda Generosi, Barbara Paci, Bruno Olivieri, Mieczysław Jałochowski, Mariusz Krawiec
Publikováno v:
Materials, Vol 15, Iss 5, p 1730 (2022)
One-monolayer (ML) (thin) and 5-ML (thick) Si films were grown on the α-phase Si(111)√3 × √3R30°-Bi at a low substrate temperature of 200 °C. Si films have been studied in situ by reflection electron energy loss spectroscopy (REELS) and Auger
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f65471b3cdf2437c85afa56909562dc1