Zobrazeno 1 - 10
of 79
pro vyhledávání: '"Augendre, Emmanuel"'
Autor:
Morin, Pierre, Maitrejean, Sylvain, Allibert, Frederic, Augendre, Emmanuel, Liu, Qing, Loubet, Nicolas, Grenouillet, Laurent, Pofelski, Alexandre, Chen, Kangguo, Khakifirooz, Ali, Wacquez, Romain, Reboh, Shay, Bonnevialle, Aurore, le Royer, Cyrille, Morand, Yves, Kanyandekwe, Joel, Chanemougamme, Daniel, Mignot, Yann, Escarabajal, Yann, Lherron, Benoit, Chafik, Fadoua, Pilorget, Sonia, Caubet, Pierre, Vinet, Maud, Clement, Laurent, Desalvo, Barbara, Doris, Bruce, Kleemeier, Walter
Publikováno v:
In Solid State Electronics March 2016 117:100-116
Autor:
Rajesh, Mohan, Bordel, Damien, Kawaguchi, Kenichi, Faure, Stephane, Nishioka, Masao, Augendre, Emmanuel, Clavelier, Laurent, Guimard, Denis, Arakawa, Yasuhiko
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2011 315(1):114-118
Autor:
Nakayama, Shigeru, Iwamoto, Satoshi, Ishida, Satomi, Bordel, Damian, Augendre, Emmanuel, Clavelier, Laurent, Arakawa, Yasuhiko
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2010 42(10):2556-2559
Autor:
Bordel, Damien, Rajesh, Mohan, Nishioka, Masao, Augendre, Emmanuel, Clavelier, Laurent, Guimard, Denis, Arakawa, Yasuhiko
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2010 42(10):2765-2767
Autor:
Vandermolen, Eric, Ferrandis, Philippe, Allibert, Frédéric, Augendre, Emmanuel, Nabet, Massinissa, Rack, Martin, Raskin, Jean-Pierre, Cassé, Mikaël
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1493::5e10f61bb6e57a541eecad48ef790289
https://hdl.handle.net/2078.1/269385
https://hdl.handle.net/2078.1/269385
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kusiaku, Koku, Letartre, Xavier, Leclercq, Jean-Louis, Rojo-Romeo, Pedro, Seassal, Christian, Regreny, Philippe, Viktorovitch, Pierre, Chusseau, Laurent, Disanto, Filippo, Philippe, Fabrice, Augendre, Emmanuel
Publikováno v:
6èmes Journées Térahertz
6èmes Journées Térahertz, May 2011, La Grande Motte, France
6èmes Journées Térahertz, May 2011, La Grande Motte, France
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bde524b7fe1a74de410438bd2c48d1f7
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00809746
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00809746
Autor:
Jeamsaksiri, Wutthinan, Jurczak, Malgorzata, Grau, Lluís, Linten, Dimitri, Augendre, Emmanuel, De Potter, Muriel, Rooyackers, Rita, Wambacq, Piet, Badenes, Gonçal
It has been known that using selective epitaxial growth (SEG) silicon, to elevate source/drain regions, is beneficial to digital CMOS by reducing the junction leakage. In addition, this architecture also reduces the gate resistance by enabling a T-sh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3848::c07061240aa30a4a6d89bcf2609cb857
https://hdl.handle.net/20.500.14017/4834f553-49d8-484c-8158-d01fb0f7dd29
https://hdl.handle.net/20.500.14017/4834f553-49d8-484c-8158-d01fb0f7dd29
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Grousset, Sebastien, Lavenus, Pierre, Benaissa, Lamine, Taibi, Rachid, Augendre, Emmanuel, Signamarcheix, Thomas, Le Traon, Olivier, Ballandras, Sylvain
Publikováno v:
2014 IEEE International Frequency Control Symposium (FCS); 2014, p1-4, 4p