Zobrazeno 1 - 10 of 11 pro vyhledávání: '"Audrey Valentin"'
1
Optimizing ion implantation to create shallow NV centre ensembles in high-quality CVD diamond
Autor: Midrel Wilfried Ngandeu Ngambou, Pauline Perrin, Ionut Balasa, Ovidiu Brinza, Audrey Valentin, Vianney Mille, Fabien Bénédic, Philippe Goldner, Alexandre Tallaire, Jocelyn Achard
The negatively charged nitrogen-vacancy centre (so-called NV-centre) in diamond is one of the most promising systems for applications in quantum technologies because of the possibility to optically manipulate and read out the spin state of this defec
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1d947a7bcaa827e3a14910f9b75addd1
https://zenodo.org/record/7813585
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Phonon effect on single-electron transport in two-dot semiconductor devices.
Autor: Valentin, Audrey, Galdin-Retailleau, Sylvie, Dollfus, Philippe
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug2009, Vol. 106 Issue 4, p044501-1-044501-7, 7p, 1 Diagram, 12 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Single Electron Transistor theory: A review.
Autor: pal Singh, Gurinder, Raj, Balwinder
Publikováno v: 2013 IEEE International Conference ON Emerging Trends in Computing, Communication & Nanotechnology (ICECCN); 2013, p95-99, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Kniha
Front Matter.
Publikováno v: Wigner Monte Carlo Method for Nanoelectronic Devices; 2013, pi-xxii, 22p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Improved Simulation of Ion Track Structures Using New Geant4 Models—Impact on the Modeling of Advanced Technologies Response.
Autor: Raine, Mélanie, Valentin, Audrey, Gaillardin, Marc, Paillet, Philippe
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; Dec2012 Part 1, Vol. 59 Issue 6, p2697-2703, 7p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Physical Simulation of Silicon-Nanocrystal-Based Single-Electron Transistors.
Autor: Talbo, Vincent, Galdin-Retailleau, Sylvie, Valentin, Audrey, Dollfus, Philippe
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2011, Vol. 58 Issue 10, p3286-3293, 8p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Study of phonon modes in silicon nanocrystals using the adiabatic bond charge model.
Autor: Valentin, Audrey, Sée, Johann, Galdin-Retailleau, Sylvie, Dollfus, Philippe
Publikováno v: Journal of Physics: Condensed Matter; 4/ 9/2008, Vol. 20 Issue 14, p145213-145220, 8p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Characteristics of He Ion Implanted Layers on Single‐Crystal Diamond.
Autor: Valentin, Audrey, De Feudis, Mary, Brinza, Ovidiu, Tardieu, André, William, Ludovic, Tallaire, Alexandre, Achard, Jocelyn
Publikováno v: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; 11/21/2018, Vol. 215 Issue 22, pN.PAG-N.PAG, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje