Depressive symptoms and upward social comparisons during Instagram use: A vicious circle

Autor: Aubry, Raphaël, Quiamzade, Alain, Meier, Laurenz L.

Publikováno v: In Personality and Individual Differences February 2024 217

Inégalités économiques et comparaison sociale par le haut : espérer devenir plus riche ou corriger les écarts par ressentiment ?

Autor: Aubry, Raphaël

En se comparant à une personne plus riche que soi, les individus peuvent réagir relativement aux inégalités économiques par deux stratégies ; envisager une mobilité économique ou adhérer à une redistribution des richesses. Deux processus in

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1400::9f04801f6befef5640d2ff23ac43a168
https://archive-ouverte.unige.ch/unige:120845

Normally-off AlGaN/GaN Recessed MOS-HEMTs on Normally-on Epitaxial Structures for Microwave Power Applications

Autor: Trinh Xuan, Linh, Aubry, Raphaël, Patard, Olivier, Jacquet, Jean-Claude, Gamarra, Piero, Piotrowicz, Stéphane, Delage, Sylvain, Laurent, Sylvain, Bouysse, Philippe, Quéré, Raymond

Publikováno v: Europen Microwave Week
Europen Microwave Week, Oct 2016, Londres, United Kingdom

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::fc949cd47b8b6758e22579c05cbcba71
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01432290

Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S

Autor: Dufraisse, Jérémy, Callet, Guillaume, Piotrowicz, Stéphane, Chartier, Eric, Jardel, Olivier, Jacquet, Jean-Claude, Sarazin, Nicolas, Morvan, Erwan, Aubry, Raphaël, Di Forte Poisson, M.A., Delage, Sylvain, Bouysse, Philippe, Quéré, Raymond

Publikováno v: Proceedings 17èmes JNM
17ème Journées Nationales Microondes
17ème Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. pp.1-4

National audience; Les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en InAlN/AlN/GaN sont étudiés pour analyser l'impact de paramètres technologiques de composants 2×100μm sur des mesures I-V statiques et des paramètres en petits signaux

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::d9bb0b3faa91fa6d0137e84a1ad5134d
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00918189

Kelvin force microscopy for n- and p-type GaN surface characterization

Autor: Melin, Thierry, Kusiaku, Koku, Barbet, Sophie, Deresmes, D., Theron, Didier, Aubry, Raphaël, Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette, Jacquet, Jean-Claude

Publikováno v: Worskhop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD'09
Worskhop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD'09, 2009, Fort Myers, FL, United States

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ce1e0a5f76318988853c9b6d5212f589
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00575345