Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Aubriet, H."'
Autor:
Shi, Shengwei, Schmerber, G., Arabski, J., Beaufrand, J. -B., Kim, D. J., Boukari, S., Bowen, M., Kemp, N. T., Viart, N., Rogez, G., Beaurepaire, E., Aubriet, H., Petersen, J., Becker, C., Ruch, D.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 95, 043303 (2009)
We report on the growth by evaporation under high vacuum of high-quality thin films of Fe(phen)2(NCS)2 (phen=1,10-phenanthroline) that maintain the expected electronic structure down to a thickness of 10 nm and that exhibit a temperature-driven spin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0908.0607
Autor:
Belghazi, Y., Stoeffler, D., Colis, S., Schmerber, G., Ulhaq-Bouillet, C., Rehspringer, J. L., Berrada, A., Aubriet, H., Petersen, J., Becker, C., Ruch, D., Dinia, A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Jun2009, Vol. 105 Issue 11, p113904-1-113904-8, 8p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 3 Charts, 5 Graphs
Autor:
Petersen, J., Brimont, C., Gallart, M., Crégut, O., Schmerber, G., Gilliot, P., Hönerlage, B., Ulhaq-Bouillet, C., Rehspringer, J. L., Leuvrey, C., Colis, S., Aubriet, H., Becker, C., Ruch, D., Slaoui, A., Dinia, A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Dec2008, Vol. 104 Issue 11, p113539, 5p, 2 Diagrams, 6 Graphs
Photoluminescence properties of Eu-doped ZnO thin films prepared by sol-gel process and spin coating
Autor:
Petersen, J., Brimont, C., Gallart, M., Crégut, O., Schmerber, G., Gilliot, P., Hönerlage, B., Ulhaq-Bouillet, C., Rehspringer, J.L., Leuvrey, C., Colis, S., Aubriet, H., Becker, C., Ruch, D., Slaoui, A., Dinia, A.
Publikováno v:
European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Wide Band Gap Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications
European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Wide Band Gap Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications, May 2008, Strasbourg, France
European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Wide Band Gap Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications, May 2008, Strasbourg, France
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::34ad7c2cd3113d769185277861f9a050
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00371770
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00371770
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fix, T., M Liberati, Aubriet, H., Sahonta, S.-L., Bali, R., Becker, C., Ruch, D., MacManus-Driscoll, J. L., Arenholz, E., Blamire, M. G.
Publikováno v:
New Journal of Physics; Jul2009, Vol. 11 Issue 7, p1-10, 10p