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pro vyhledávání: '"Atomlagenabscheidung"'
Autor:
Yang, Jun
This thesis concentrates on advancing the thermal atom layer deposition (ALD) of Sb2Te3 and related multilayered metal chalcogenide thin films. It involves depositing a sub-monolayer of the target compound during each ALD cycle through successive, se
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A94380
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A94380/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A94380/attachment/ATT-0/
Autor:
Blendinger, Felix
Polyetheretherketon (PEEK) besitzt vorteilhafte biomechanische Eigenschaften für lasttragende orthopädische Implantate, jedoch werden für die Osseointegration wichtige Eigenschaften wie die Adsorption von Proteinen und die Adhäsion von Zellen von
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______707::ba3e06fd2882f9a3e733e989ced949a7
https://hdl.handle.net/10900/139600
https://hdl.handle.net/10900/139600
Autor:
Dill, Pauline
In dieser Arbeit wurde Atomlagenabscheidung (ALD) zur Herstellung von Einzelschichten und Multischichten auf Kohlenstofffasern, Kohlenstoffgeweben und Siliziumcarbidgeweben verwendet. Im ersten Teil der Arbeit werden bekannte Prozesse zur Herstellung
Autor:
Knehr, Emanuel Marius
This work presents three advances to scale SNSPDs from few-pixel devices to large detector arrays: atomic layer deposition for the fabrication of uniform superconducting niobium nitride films of few-nanometer thickness, a frequency-multiplexing schem
Externí odkaz:
https://library.oapen.org/handle/20.500.12657/61613
Autor:
Boysen, Nils
Präkursoren mit Relevanz für die Gasphasenabscheidung von verschiedenen Materialsystemen mittels der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder Atomlagenabscheidung (ALD) müssen spezifisch für solche Prozesse entwickelt werden. In dieser Arbeit w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a27d9dfaa642142047c972b41d4fec62
https://hss-opus.ub.ruhr-uni-bochum.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/9537
https://hss-opus.ub.ruhr-uni-bochum.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/9537
Publikováno v:
AMC 2015 – Advanced Metallization Conference
The work investigates the selective deposition of cobalt oxide via atomic layer deposition. Methoxysilanes chlorosilane and poly(trimethylsilylstyrene) self-assembled monolayers are utilized to prevent wetting of water and cobalt bis(N-tert butyl, N'
Autor:
Shima, Kohei, Tu, Yuan, Han, Bin, Takamizawa, Hisashi, Shimizu, Hideharu, Shimizu, Yasuo, Momose, Takeshi, Inoue, Koji, Nagai, Yasuyoshi, Shimogaki, Yukihiro
Publikováno v:
AMC 2015 – Advanced Metallization Conference
A new materials system of a single layered Co(W) barrier/liner coupled with a Cu(Mn) alloy seed was investigated. Atom probe tomography visualized the sub-nanoscale structure of Cu(Mn)/Co(W) system, and thereby revealed Cu diffusion behavior of Co(W)
Die vorliegende Dissertation befasst sich mit der Entwicklung von neuartigen metallorganischen Präkursoren, die in Prozessen der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und Atomlagenabscheidung (ALD) implementiert werden, um Dünnschichten mit verbess
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3579::c750cd26a43586d6ce399ee3319f6978
https://hss-opus.ub.ruhr-uni-bochum.de/opus4/files/8446/diss.pdf
https://hss-opus.ub.ruhr-uni-bochum.de/opus4/files/8446/diss.pdf
Autor:
Mueller, Steve, Waechtler, Thomas, Hofmann, Lutz, Tuchscherer, Andre, Mothes, Robert, Gordan, Ovidiu, Lehmann, Daniel, Haidu, Francisc, Ogiewa, Marcel, Gerlich, Lukas, Ding, Shao-Feng, Schulz, Stefan E., Gessner, Thomas, Lang, Heinrich, Zahn, Dietrich R.T., Qu, Xin-Ping
Publikováno v:
Semiconductor Conference Dresden (SCD), 27-28 Sept. 2011, Dresden, Germany; DOI: 10.1109/SCD.2011.6068736
In this work, an approach for copper atomic layer deposition (ALD) via reduction of CuxO films was investigated regarding applications in ULSI interconnects, like Cu seed layers directly grown on diffusion barriers (e. g. TaN) or possible liner mater
Autor:
Gehre, Joshua
Manufacturing of electronics devices, continuously decreasing in size, commonly requires the vapor phase deposition of materials into small structures on a wafer, often at a nanometer scale. In this thesis the goal is to simulate vapor-phase depositi