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pro vyhledávání: '"Atomlagenabscheidung"'
Autor:
Zhang, Haojie1 (AUTHOR), Hagen, Dirk J.2 (AUTHOR), Li, Xiaopeng3 (AUTHOR), Graff, Andreas4 (AUTHOR), Heyroth, Frank5 (AUTHOR), Fuhrmann, Bodo5 (AUTHOR), Kostanovskiy, Ilya2 (AUTHOR), Schweizer, Stefan L.1 (AUTHOR), Caddeo, Francesco6 (AUTHOR), Maijenburg, A. Wouter6 (AUTHOR), Parkin, Stuart2 (AUTHOR), Wehrspohn, Ralf B.1,7 (AUTHOR) ralf.wehrspohn@physik.uni-halle.de
Publikováno v:
Angewandte Chemie. 9/21/2020, Vol. 132 Issue 39, p17324-17329. 6p.
Autor:
Dill, Pauline
In dieser Arbeit wurde Atomlagenabscheidung (ALD) zur Herstellung von Einzelschichten und Multischichten auf Kohlenstofffasern, Kohlenstoffgeweben und Siliziumcarbidgeweben verwendet. Im ersten Teil der Arbeit werden bekannte Prozesse zur Herstellung
Autor:
Zilbauer, Thomas
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, (ALD) von Hafniumoxid (HfO2) zur Herstellung von Gate-Dielektrika für Bauelemente der Silizium basierten CMOS-Technologie. Ihre Schwerpunkte liegen im Ausbau
Autor:
Boysen, Nils1, Hasselmann, Tim2, Karle, Sarah1, Rogalla, Detlef3, Theirich, Detlef2, Winter, Manuela1, Riedl, Thomas2 t.riedl@uni-wuppertal.de, Devi, Anjana1 anjana.devi@rub.de
Publikováno v:
Angewandte Chemie. 12/3/2018, Vol. 130 Issue 49, p16458-16462. 5p.
Autor:
Sobel, Nicolas1, Hess, Christian1 hess@pc.chemie.tu-darmstadt.de
Publikováno v:
Angewandte Chemie. 12/7/2015, Vol. 127 Issue 50, p15226-15233. 8p.
Akademický článek
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