Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"Atomic scale imaging"'
Autor:
Jieling Tan, Jiang‐Jing Wang, Hang‐Ming Zhang, Han‐Yi Zhang, Heming Li, Yu Wang, Yuxing Zhou, Volker L. Deringer, Wei Zhang
Publikováno v:
Small Science, Vol 4, Iss 9, Pp n/a-n/a (2024)
Main‐group layered binary semiconductors, in particular, the III–VI alloys in the binary Ga–Te system are attracting increasing interest for a range of practical applications. The III–VI semiconductor, monoclinic gallium monotelluride (m‐Ga
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9f59ee6f08484070a464d4f247f23629
Autor:
Kaname Yoshida, Atsushi Nakahira
Publikováno v:
Open Ceramics, Vol 16, Iss , Pp 100494- (2023)
The spatial resolution of transmission electron microscopes (TEMs) and scanning transmission electron microscopes (STEMs) has been drastically improved by introducing aberration correction. However, observable range in electron sensitive zeolites are
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0925269c4476447c8aab12fed185db01
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 9, p 1542 (2022)
To facilitate the rapid development of van der Waals materials and heterostructures, scanning probe methods capable of nondestructively visualizing atomic lattices and moiré superlattices are highly desirable. Lateral force microscopy (LFM), which m
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/183e5c87b18e425ebb356e3baa41bf5d
Autor:
Hoffmann, Peter M., Oral, Ahmet, Grimble, Ralph A., Özer, H. Özgür, Jeffery, Steve, Pethica, John B.
Publikováno v:
Proceedings: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 2001 May 01. 457(2009), 1161-1174.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/3067309
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu, Yi
In the past decade, driven by the demand for materials with high performance for next-generation semiconductor devices (e.g., for quantum computing), the exploration of III-V semiconductor materials and the design of improved devices based on these m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1110::69384a494d6ca3d41842de0250270a97
https://lup.lub.lu.se/record/52ec2dad-0238-47f0-931a-f99f55576569
https://lup.lub.lu.se/record/52ec2dad-0238-47f0-931a-f99f55576569
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.