Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"Athle, Robin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Athle, Robin, Borg, Mattias
Publikováno v:
Advanced Intelligent Systems (2640-4567); Mar2024, Vol. 6 Issue 3, p1-9, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The ferroelectric (FE)–antiferroelectric (AFE) transition in Hf1–xZrxO2(HZO) is for the first time shown in a metal–ferroelectric–semiconductor (MFS) stack based on the III-V material InAs. As InAs displays excellent electron mobility and a n
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2659::f4ae7585cbcaeb470c604e806d0d44ac
https://zenodo.org/record/7567959
https://zenodo.org/record/7567959
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACS Applied Electronic Materials; 12/27/2022, Vol. 4 Issue 12, p6357-6363, 7p