Zobrazeno 1 - 10 of 18 pro vyhledávání: '"Asubar, J. T."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Conference
Breakdown degradation of AlGaN/GaN HEMTs with multi-finger gate patterns.
Autor: Yamazaki, T., Suzuki, Y., Ohi, S., Asubar, J. T., Tokuda, H., Kuzuhara, M.
Publikováno v: 2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK); 2016, p1-2, 2p
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
Effect of metal electrode edge irregularities on breakdown voltages of AlGaN/GaN HEMTs.
Autor: Makino, S., Ohi, S., Asubar, J. T., Tokuda, H., Kuzuhara, M.
Publikováno v: 2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK); 2016, p1-2, 2p
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
Current collapse in AlGaN/GaN HEMTs with a GaN cap layer.
Autor: Yoshida, S., Sakaida, Y., Asubar, J. T., Tokuda, H., Kuzuhara, M.
Publikováno v: 2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK); 2015, p48-49, 2p
Zobrazit plný text záznamu
8
Conference
Cu/Al/Mo/Au and Ni/Al/Mo/Au ohmic contacts for AlGaN/GaN heterostructures.
Autor: Sasakura, A., Asubar, J. T., Tokuda, H., Kuzuhara, M.
Publikováno v: 2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK); 2015, p42-43, 2p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
High breakdown voltage AlGaN/GaN HEMTs on free-standing GaN substrate.
Autor: Ng, J. H., Tone, K., Asubar, J. T., Tokuda, H., Kuzuhara, M.
Publikováno v: 2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK); 2015, p54-55, 2p
Zobrazit plný text záznamu
10
Conference
High drain current and low on-resistance in AlGaN/GaN HEMTs with Au-plated ohmic electrodes.
Autor: Suzuki, Y., Tone, K., Asubar, J. T., Tokuda, H., Kuzuhara, M.
Publikováno v: 2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK); 2015, p52-53, 2p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje