Zobrazeno 1 - 10 of 328 pro vyhledávání: '"Ashizawa Y"'
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Individual Variation in Semen Parameters of Healthy Young Volunteers.
Autor: Oshio, S.1 oshios@rs.noda.tus.ac.jp, Ashizawa, Y.1, Yotsukura, M.1, Tohyama, Y.1, Iwabuchi, M.1, Adachi, Y.1, Matsuda, H.1, Tomomasa, H.1, Yoshida, S.2,3, Takeda, K.2, Umeda, T.1
Publikováno v: Archives of Andrology. Nov/Dec2004, Vol. 50 Issue 6, p417-425. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Influence of lattice misfit on heterojunction bipolar transistors with lattice-mismatched InGaAs bases.
Autor: Ashizawa, Y., Akbar, S., Schaff, W. J., Eastman, L. F., Fitzgerald, E. A., Ast, D. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1988, Vol. 64 Issue 8, p4065, 10p, 3 Diagrams, 3 Charts, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Dislocation structure, formation, and minority-carrier recombination in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors.
Autor: Fitzgerald, E. A., Ast, D. G., Ashizawa, Y., Akbar, S., Eastman, L. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1988, Vol. 64 Issue 5, p2473, 15p, 11 Black and White Photographs, 4 Diagrams, 1 Chart, 13 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
The identification of dark-line defects in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures.
Autor: Fitzgerald, E. A., Ashizawa, Y., Eastman, L. F., Ast, D. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/1988, Vol. 63 Issue 10, p4925, 4p, 4 Black and White Photographs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Uncompensated antiferromagnetic spins at the interface in Mn–Ir based exchange biased bilayers.
Autor: Tsunoda, M., Yoshitaki, S., Ashizawa, Y., Mitsumata, C., Nakamura, T., Osawa, H., Hirono, T., Kim, D. Y., Takahashi, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/1/2007, Vol. 101 Issue 9, p09E510, 3p, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje