Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"Ashburn, S.P."'
Autor:
Song Zhao, Shaoping Tang, Nandakumar, M., Scott, D.B., Sridhar, S., Chatterjee, A., Youngmin Kim, Shyh-Horng Yang, Shi-Charng Ai, Ashburn, S.P.
Publikováno v:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes & Devices; 2002, p43-46, 4p
Autor:
Ukraintsev, V.A., Walsh, S.T., Ashburn, S.P., Machala, C.F., Edwards, H., Gray, J.T., Joshi, S., Woodall, D., Chang, M.-C.
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1999 Technical Digest (Cat No99CH36318); 1999, p349-352, 4p
Autor:
Ashburn, S.P., Krishnan, S., Dixit, G.A., Rodder, M., Taylor, K., Breedijk, T., Chen, I.-C., Goodwin, M.W., Esquivel, A.L.
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting IEDM Technical Digest; 1997, p449-452, 4p
Publikováno v:
Journal of Materials Research; 11/01/1995, Vol. 10 Issue 11, p2849-2863, 15p
Autor:
Mphahlele, Malose J.1 (AUTHOR) mphahmj@unisa.ac.za
Publikováno v:
Molecules. Nov2022, Vol. 27 Issue 22, p7985. 17p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.