Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"Asgerov, E."'
Publikováno v:
Semiconductors. 56:220
The processes of interaction and formation of phases in the Cu2S-In2S3 system obtained by sequential and simultaneous deposition of Cu2S and In2S3 binary compounds in vacuum have been investigated. Using the kinematic electron diffraction method, the
Publikováno v:
Semiconductors. 56:303
It is shown that with the simultaneous and sequential deposition of films of the Cu2Te-In2Te3 system, as well as copper, indium, and tellurium of the highest purity used as starting materials, ~99.999%, taken in the ratio Cu : In : Te = 1 : 5 : 8, re
Autor:
Asgerov, E. elmar@jinr.ru, Dang, N.1, Beskrovnyy, A.2, Madadzada, A., Ismayilov, D.3, Mehdiyeva, R.4, Jabarov, S., Karimova, E.5
Publikováno v:
Semiconductors. Jul2015, Vol. 49 Issue 7, p879-882. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2014, Vol. 48 Issue 9, p1233-1236. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.