Zobrazeno 1 - 10
of 649
pro vyhledávání: '"Asbeck, P.M"'
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2008 52(5):637-643
Autor:
Chung, T., Keogh, D.M., Ryou, J.-H., Yoo, D., Limb, J., Lee, W., Shen, S.-C., Asbeck, P.M., Dupuis, R.D.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2007 298:852-856
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2002 46(1):1-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2000 44(2):211-219
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gu, S., Chagarov, E.A., Min, J., Madisetti, S., Novak, S., Oktyabrsky, S., Kerr, A.J., Kaufman-Osborn, T., Kummel, A.C., Asbeck, P.M.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 30 October 2014 317:1022-1027
Autor:
Lutz, C.R., Deluca, P.M., Stevens, K.S., Landini, B.E., Welser, R.E., Welty, R.J., Asbeck, P.M.
Publikováno v:
Lutz, C.R. ; Deluca, P.M. ; Stevens, K.S. ; Landini, B.E. ; Welser, R.E. ; Welty, R.J. ; Asbeck, P.M. (2002) Enhancing the Device Performance of III-V Based Bipolar Transistors. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2002, 23-27 september 2002, Milano.
Superior DC and RF performance are obtained using InGaP/GaInAsN and InP/GaInAs double heterojunction bipolar transistors with compositionally graded base layers. By grading the base layer energy band-gap, we achieve nearly a 100% improvement in DC cu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::02ef4e654ed8f3eb5f48bd7a8718b700
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.