Zobrazeno 1 - 10
of 68
pro vyhledávání: '"Arun Samuel T.S"'
Publikováno v:
In Materials Today: Proceedings 2021 45 Part 4:4026-4035
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures April 2020 118
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing December 2019 104
Publikováno v:
In AEUE - International Journal of Electronics and Communications October 2019 110
Publikováno v:
In AEUE - International Journal of Electronics and Communications February 2019 99:34-39
Publikováno v:
In International Journal of Hydrogen Energy 24 August 2017 42(34):21648-21658
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Innovative Technology and Exploring Engineering. 8:3457-3460
In view of the 2-Dimensional game plan of Poisson's condition, a material science-based model of Double Gate Dual Material Junction less (DGDMJNL) Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is made. The advantages of different work ca
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1976bb497826d1f7ffe46a0b9f9ef363
https://doi.org/10.35940/ijitee.l2602.1081219
https://doi.org/10.35940/ijitee.l2602.1081219
Publikováno v:
Informacije MIDEM - Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials. :205-211
A verification environment to verify an ARM based SoC is proposed in this work. This work introduces the design of a Verification Intelluctual Property (VIP) of Advanced Microcontroller Bus Architecture (AMBA). AMBA protocols are today the best stand
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c2ccc091cfb98563c065399ec497e674
https://doi.org/10.33180/infmidem2018.402
https://doi.org/10.33180/infmidem2018.402
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.