Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Arnold Steinman"'
Autor:
Sophia Arnauts, Sachin Attavar, Twan Bearda, Stephen P. Beaudoin, Jeffery W. Butterbaugh, Philip G. Clark, David A. Cole, Geert Doumen, John B. Durkee, Michael L. Free, Taketoshi Fujimoto, Wim Fyen, Anthony S. Geller, Kuniaki Gotoh, Aaron Harrison, Frank Holsteyns, Darby Hoss, Koji Kato, Karine Kenis, Rajiv Kohli, Jean L. Lee, Larry Levit, Chao-Hsin Lin, Wayne T. McDermott, Paul W. Mertens, Kashmiri L. Mittal, Tatsuo Nonaka, Othmar Preining, David J. Quesnel, Daniel J. Rader, Donald S. Rimai, David M. Schaefer, Robert Sherman, Arnold Steinman, Melissa Sweat, Kikuo Takeda, Myles Thomas, Joerg C. Tiller, Jan Van Steenbergen, Thomas J. Wagener, Zhong Lin Wang, Darren L. Williams, Lei Zhang, Chao Zhu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::37b1f3628216a19f1764f5dc9d55fb0b
https://doi.org/10.1016/b978-0-323-29960-2.09996-2
https://doi.org/10.1016/b978-0-323-29960-2.09996-2
Autor:
Arnold Steinman
Publikováno v:
2015 37th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD).
Manufacturing has brought increased semiconductor device functionality through smaller geometries, larger wafer sizes, and faster operating speeds, as well as increased disk drive storage density and display sizes. To produce these advanced technolog
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90bdf7bb23a238cd401dfff0c531024e
https://doi.org/10.1109/eosesd.2015.7314759
https://doi.org/10.1109/eosesd.2015.7314759
Autor:
Arnold Steinman
Publikováno v:
2009 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference.
Smaller feature dimensions of semiconductor devices mean that “killer particle” sizes are also smaller. Static charge affects process yields by increased attraction of these smaller particles to critical product surfaces. This paper describes a s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::734f5312c7678b29df73aba1f3210cda
https://doi.org/10.1109/asmc.2009.5155976
https://doi.org/10.1109/asmc.2009.5155976
Autor:
Arnold Steinman, Larry Levit
Reduction of product defects to levels acceptable in high quality, world-class cleanroom manufacturing requires continuing attention to static charge control. Uncontrolled, static charge is responsible for increasing the number of particle-related de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::751a28720166b778e6e903a04172d365
https://doi.org/10.1016/b978-0-323-29960-2.00006-x
https://doi.org/10.1016/b978-0-323-29960-2.00006-x
Autor:
Arnold Steinman, Larry Levit
Publisher Summary Reduction of product defects to levels acceptable in high quality, world-class clean-room manufacturing requires continuing attention to static charge control. Uncontrolled, static charge is responsible for increasing the number of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9934bb405854751ce0de261ebf614361
https://doi.org/10.1016/b978-081551555-5.50010-1
https://doi.org/10.1016/b978-081551555-5.50010-1
Autor:
D. Parkin, T. Jarrett, Richiyaado Deii Rodorigo, J. Diep, J.M. Salisbury, Julius A. Turangan, N. Jonassen, Arnold Steinman, C. Newberg, D. Pritchard, Donn G. Bellmore
Publikováno v:
2004 Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium.
Air ionizers are used during the fabrication and assembly of very small components and sub assemblies that are static sensitive. The plate of a standard charged plate monitor (CPM) is relatively large in comparison. Questions have arisen about the re
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::64bdc070182eb8609c5d1fe8e58ac9de
https://doi.org/10.1109/eosesd.2004.5272813
https://doi.org/10.1109/eosesd.2004.5272813
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.