Zobrazeno 1 - 10
of 5 904
pro vyhledávání: '"Arnaud , F."'
Autor:
Nimu Yuan, Mohamed A. Hassan, Katjana Ehrlich, Brent W. Weyers, Garrick Biddle, Vladimir Ivanovic, Osama A. A. Raslan, Dorina Gui, Marianne Abouyared, Arnaud F. Bewley, Andrew C. Birkeland, D. Gregory Farwell, Laura Marcu, Jinyi Qi
Publikováno v:
Diagnostics, Vol 14, Iss 18, p 2097 (2024)
Objectives: Early detection and accurate diagnosis of lymph node metastasis (LNM) in head and neck cancer (HNC) are crucial for enhancing patient prognosis and survival rates. Current imaging methods have limitations, necessitating new evaluation of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cfa3514ee7d44a62a3561a6b5446f622
Autor:
Bohuslavskyi, H., Barraud, S., Cassé, M., Barral, V., Bertrand, B., Hutin, L., Arnaud, F., Galy, P., Sanquer, M., De Franceschi, S., Vinet, M.
Publikováno v:
2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), Kyoto, 2017, pp. 143-144
This paper reports the first cryogenic characterization of 28nm Fully-Depleted-SOI CMOS technology. A comprehensive study of digital/analog performances and body-biasing from room to the liquid helium temperature is presented. Despite a cryogenic ope
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2002.07070
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gastineau, R., Sabatier, P., Fabbri, S. C., Anselmetti, F. S., Roeser, P., Findling, N., Şahin, M., Gündüz, S., Arnaud, F., Franz, S. O., Ünsal, N. D., de Sigoyer, J.
Publikováno v:
Depositional Record; Nov2024, Vol. 10 Issue 5, p470-495, 26p
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2023 148
Autor:
Bohuslavskyi, H., Barraud, S., Barral, V., Cassé, M., Guevel, L. Le, Hutin, L., Bertrand, B., Crippa, A., Jehl, X., Pillonnet, G., Jansen, A. G. M., Arnaud, F., Galy, P., Maurand, R., De Franceschi, S., Sanquer, M., Vinet, M.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices ( Volume: 65 , Issue: 9 , Sept. 2018 )
Extensive electrical characterization of ring oscillators (ROs) made in high-$\kappa$ metal gate 28nm Fully-Depleted Silicon-on- Insulator (FD-SOI) technology is presented for a set of temperatures between 296 and 4.3K. First, delay per stage ($\tau_
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.06021
Autor:
Bohuslavskyi, H., Jansen, A. G. M., Barraud, S., Barral, V., Cassé, M., Guevel, L. Le, Jehl, X., Hutin, L., Bertrand, B., Billiot, G., Pillonnet, G., Arnaud, F., Galy, P., De Franceschi, S., Vinet, M., Sanquer, M.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters, 5 March 2019
In the standard MOSFET description of the drain current $I_{D}$ as a function of applied gate voltage $V_{GS}$, the subthreshold swing $SS(T)\equiv dV_{GS}/d\log I_{D}$ has a fundamental lower limit as a function of temperature $T$ given by $SS(T) =
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.05409
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Schwartz, Christopher J., Brogi, Edi, Marra, Antonio, Da Cruz Paula, Arnaud F, Nanjangud, Gouri J., da Silva, Edaise M., Patil, Sujata, Shah, Shreena, Ventura, Katia, Razavi, Pedram, Norton, Larry, D'alfonso, Timothy, Weigelt, Britta, Pareja, Fresia, Reis-Filho, Jorge S., Wen, Hannah Y.
Publikováno v:
In Modern Pathology February 2022 35(2):193-201
Autor:
Confort MP; IVPC UMR754, INRAE, Universite Claude Bernard Lyon 1, EPHE, PSL Research University, LYON, France., Ratinier M; IVPC UMR754, INRAE, Universite Claude Bernard Lyon 1, EPHE, PSL Research University, LYON, France., Arnaud F; IVPC UMR754, INRAE, Universite Claude Bernard Lyon 1, EPHE, PSL Research University, LYON, France. frederick.arnaud@univ-lyon1.fr.
Publikováno v:
Methods in molecular biology (Clifton, N.J.) [Methods Mol Biol] 2024; Vol. 2824, pp. 81-89.