Zobrazeno 1 - 10 of 21 pro vyhledávání: '"Arita Takashi"'
1
Report
Weak topological insulators with step edges: Subband engineering and its effect on electron transport
Autor: Arita, Takashi, Takane, Yositake
Publikováno v: J. Phys. Soc. Jpn. 85, 033706 (2016)
A three-dimensional weak topological insulator (WTI) can be regarded as stacked layers of two-dimensional quantum spin-Hall insulators, each of which accommodates a one-dimensional helical edge mode. Massless Dirac electrons emerge on a side surface
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1602.08243
Zobrazit plný text záznamu
2
Report
Manipulating quantum channels in weak topological insulator nanoarchitectures
Autor: Matsumoto, Akihiko, Arita, Takashi, Takane, Yositake, Yoshimura, Yukinori, Imura, Ken-Ichiro
Publikováno v: Phys. Rev. B 92, 195424 (2015)
In $strong$ topological insulators protected surface states are always manifest, while in $weak$ topological insulators (WTI) the corresponding metallic surface states are either manifest or hidden, depending on the orientation of the surface. One ca
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1412.3897
Zobrazit plný text záznamu
3
Report
Effective model for massless Dirac electrons on a surface of weak topological insulators
Autor: Arita, Takashi, Takane, Yositake
Publikováno v: J. Phys. Soc. Jpn. 83, 124716 (2014)
In a typical situation, gapless surface states of a three-dimensional (3D) weak topological insulator (WTI) appear only on sides, leaving the top and bottom surfaces gapped. To describe massless Dirac electrons emergent on such side surfaces of a WTI
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1409.7484
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Effects of discharge parameters on deposition rate of hydrogenated amorphous silicon for solar cells from pure SiH4 plasma.
Autor: Ishihara, Shin-ichiro, Kitagawa, Masatoshi, Hirao, Takashi, Wasa, Kiyotaka, Arita, Takashi, Mori, Koshiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1987, Vol. 62 Issue 2, p485, 7p, 1 Diagram, 1 Chart, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Effects of discharge parameters on deposition rate of hydrogenated amorphous silicon for solar cells from pure SiH4plasma
Autor: Kiyotaka Wasa, Takashi Hirao, Koshiro Mori, Arita Takashi, Masatoshi Kitagawa, Shinichiro Ishihara
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 62:485-491
A systematic deposition of hydrogenated amorphous silicon films from pure SiH4 plasma was made in a capacitively coupled rf glow‐discharge system by changing anode–cathode spacing d and chamber pressure p simultaneously. The data of the depositio
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4118fae5eee3727508bc8e58c32491b0
https://doi.org/10.1063/1.339771
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje