Zobrazeno 1 - 10
of 61
pro vyhledávání: '"Arghavani, R."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Arghavani, R., Xia, L., Thompson, S.E., M'Saad, H., Mascarenhas, A., Karunasiri, G., Balseanu, M.
The article of record as published may be found at http://dx.doi.org/10.1109/LED.2005.862277 This letter discusses a reliable and manufacturable integration technique to induce greater than 1 GPa of stress into a p-channel MOSFET, which will be requi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2778::1a483cb919dd51b576c0f336ee1a680b
https://hdl.handle.net/10945/60315
https://hdl.handle.net/10945/60315
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/1/1992, Vol. 72 Issue 3, p1191, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Arghavani, R.1, Derhacobian, N.2, Banthia, V.1, Balseanu, M.1, Ingle, N.1, M'saad, H.1, Venkataraman, S.1, Yieh, E.1, Yuan, Z.1, Xia, L.-Q.1, Krivokapic, Z.3, MacWilliams, K.1, Thompson, S. E.4
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. Feb2007, Vol. 54 Issue 2, p362-365. 4p. 5 Graphs.
Autor:
Arghavani, R.1 Reza_Arghavani@amat.com, Yuan, Z.1, Ingle, N.1, Jung, K-B1, Seamons, M.1, Venkataraman, S.1, Banthia, V.1, Lilja, K.2, Leon, P.2, Karunasiri, G.3, Yoon, S.4, Mascarenhas, A.4
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. Oct2004, Vol. 51 Issue 10, p1740-1746. 7p.
Autor:
Chau, R., Kavalieros, J., Roberds, B., Schenker, R., Lionberger, D., Barlage, D., Doyle, B., Arghavani, R., Murthy, A., Dewey, G.
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM (Cat. No.00CH37138); 2000, p45-48, 4p
Autor:
Chau, R., Arghavani, R., Alavi, M., Douglas, D., Green, R., Tyagi, S., Xu, J., Packan, P., Yu, S., Chunlin Liang
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting IEDM Technical Digest; 1997, p591-594, 4p
Autor:
Yang, S., Ahmed, S., Arcot, B., Arghavani, R., Bai, P., Chambers, S., Charvat, P., Cotner, R., Gasser, R., Ghani, T., Hussein, M., Jan, C., Kardas, C., Maiz, J., McGregor, P., McIntyre, B., Nguyen, P., Packan, P., Post, I., Sivakumar, S.
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1998 Technical Digest (Cat No98CH36217); 1998, p197-200, 4p
Publikováno v:
Solid State Technology. Jun2007, Vol. 50 Issue 6, p59-61. 3p.