Zobrazeno 1 - 10 of 27 pro vyhledávání: '"Arevalo, E.A."'
1
Conference
Advanced doping and millisecond annealing for ultra-shallow junctions for 65 nm and beyond.
Autor: McCoy, S.P., Arevalo, E.A., Gelpey, J.C., Downey, D.F.
Publikováno v: 12th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2004. RTP 2004; 2004, p99-108, 10p
Zobrazit plný text záznamu
2
Conference
Characterizing implant behavior during flash RTP by means of backside diagnostics.
Autor: Ross, J., McCoy, S., Elliott, K., Gelpey, J., Downey, D.F., Arevalo, E.A.
Publikováno v: 10th IEEE International Conference of Advanced Thermal Processing of Semiconductors; 2002, p99-105, 7p
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
Dependence of junction depth and sheet resistance on the thermal budget in the low temperature pre-stabilization regime.
Autor: Bayha, B., Paul, S., Lerch, W., Downey, D.F., Arevalo, E.A., Hebras, X., Cherkashin, N.
Publikováno v: Proceedings of the 14th International Conference on Ion Implantation Technology, 2002; 2002, p618-621, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
Effect of microwave radiation on boron activation.
Autor: Thompson, K., Booske, J.H., Downey, D.F., Arevalo, E.A.
Publikováno v: Proceedings of the 14th International Conference on Ion Implantation Technology, 2002; 2002, p544-547, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Production worthy repeatability of spike anneals.
Autor: Paul, S., Bayha, B., Lerch, W., Merkl, C., Downey, D.F., Arevalo, E.A.
Publikováno v: Proceedings of the 14th International Conference on Ion Implantation Technology, 2002; 2002, p83-86, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
The significance of controlling “off-axis” (from 1-0-0) oriented Si wafers during high angle implants.
Autor: Downey, D.F., Arevalo, E.A., Eddy, R.J., Lerch, W., Loeffelmacher, D., Ostermeir, R.
Publikováno v: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432); 2000, p642-645, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
How to monitor a sub-keV USJ implant.
Autor: Bayha, B., Loeffelmacher, D., Lerch, W., Downey, D.F., Arevalo, E.A.
Publikováno v: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432); 2000, p623-626, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Conference
Comparison of ultra-shallow junctions with PLAD and beamline implantation.
Autor: Felch, S.B., Arevalo, E.A., Walther, S., Fang, Z., Koo, B.W., Liebert, R., Lenoble, D., Grouillet, A.
Publikováno v: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432); 2000, p488-491, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
The influence of “off-axis” from (100) oriented Si wafers on junction depth and sheet resistance for low-energy implantation and rapid thermal annealing.
Autor: Lerch, W., Downey, D.F., Arevalo, E.A., Ostermeir, R.
Publikováno v: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432); 2000, p186-190, 5p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje