Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"Arabhavi, Akshay"'
Autor:
Wen, Xin, Arabhavi, Akshay, Quan, Wei, Ostinelli, Olivier, Mukherjee, Chhandak, Deng, Marina, Frégonèse, Sébastien, Zimmer, Thomas, Maneux, Cristell, Bolognesi, Colombo R., Luisier, Mathieu
Publikováno v:
Journal of Applied Physics 130, 034502, 2021
The intrinsic performance of "type-II" InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) towards and beyond THz is predicted and analyzed based on a multi-scale technology computer aided design (TCAD) modeling platform calibrated against e
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.08554
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Gallium-arsenide-antimonide-based indium phosphide double heterojunction bipolar transistors (InP/GaAsSb DHBTs) have emerged as leading contenders for >0.3 THz integrated circuits aimed at high-data-rate communication systems, radar, THz-spectroscopy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::961f57bc29da91c9f2907570288f26a5
https://hdl.handle.net/20.500.11850/577282
https://hdl.handle.net/20.500.11850/577282
Autor:
Han, Daxin, Bonomo, Giorgio, Calvo Ruiz, Diego, Arabhavi, Akshay Mahadev, Ostinelli, Olivier J.S., Bolognesi, Colombo R.
Digital electronics power consumption evolved into a major concern: at the current pace, general-purpose computing energy consumption will exceed global energy production before 2045. The principal approach to curbing energy consumption in digital ap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::967d0fe10dfcdb5b02484631ef5347ba
Autor:
Guendouz, Djeber, Mukherjee, Chhandak, Deng, Marina, De Matos, Magali, Caillaud, Christophe, Bertin, Hervé, Bobin, Antoine, Vaissière, Nicolas, Mekhazni, Karim, Mallecot, Franck, Arabhavi, Akshay M., Chaudhary, Rimjhim, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, Colombo, Mounaix, Patrick, Maneux, Cristell
Publikováno v:
Applied Sciences
Applied Sciences, 2021, 11 (23), pp.11088. ⟨10.3390/app112311088⟩
Applied Sciences, Vol 11, Iss 11088, p 11088 (2021)
Applied Sciences, 11 (23)
Applied Sciences, 2021, 11 (23), pp.11088. ⟨10.3390/app112311088⟩
Applied Sciences, Vol 11, Iss 11088, p 11088 (2021)
Applied Sciences, 11 (23)
Due to the continuous increase in data traffic, it is becoming imperative to develop communication systems capable of meeting the throughput requirements. Monolithic Opto-Electronic Integrated Circuits (OEICs) are ideal candidates to meet these deman
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a1aea07cdae878e56ff8f4b78c87a331
https://hal.science/hal-03657756/file/applsci-1432677.pdf
https://hal.science/hal-03657756/file/applsci-1432677.pdf
Autor:
Arabhavi, Akshay M., Ciabattini, Filippo, Hamzeloui, Sara, Flückiger, Ralf, Popovic, Tamara, Han, Daxin, Marti, Diego, Bonomo, Giorgio, Chaudhary, Rimjhim, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, Colombo R.
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Transistor (DHBT) emitter fin architecture with a record fMAX = 1.2 THz, a simultaneous fT = 475 GHz and BVCEO = 5.4 V. The resulting BVCEO × fMAX = 6.48 THz-V is unparalleled in semiconductor technology. The performance arises because the process a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e1489616e5232458496a198502b91fa4
https://hdl.handle.net/20.500.11850/557696
https://hdl.handle.net/20.500.11850/557696