Výsledky vyhledávání - "Appert, J. R."

Akademický článek

Optical properties of vapor-grown Inx Ga1-xAs epitaxial films on GaAs and Inx Ga1-xP substrates.

Autor: Enstrom, R. E., Zanzucchi, P. J., Appert, J. R.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1974, Vol. 45 Issue 1, p300-306, 7p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Metallurgical amd electroluminescence characteristics of vapor-phase and liquid-phase epitaxial junction structures of InxGa1−xAs

Autor: Ettenberg, M., Nuese, C. J., Appert, J. R., Gannon, J. J., Enstrom, R. E.

Publikováno v: Journal of Electronic Materials; February 1975, Vol. 4 Issue: 1 p37-66, 30p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Optical properties of vapor‐grown InxGa1−xAs epitaxial films on GaAs and InxGa1−xP substrates

Autor: Enstrom, R. E., Zanzucchi, P. J., Appert, J. R.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; January 1974, Vol. 45 Issue: 1 p300-306, 7p

Zobrazit plný text záznamu