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Publikováno v:
Engenharia no Século XXI – Volume 12
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7312e296982477735586a029c737d9f3
https://doi.org/10.36229/978-85-7042-199-9.cap.09
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Autor:
Alexandro de Moraes Nogueira
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Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Universidade de São Paulo (USP)
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Transistores de tunelamento induzidos por efeito de campo (TFET) ganharam grande interesse da academia nos últimos anos devido a possibilidade de alcançar inclinação de sublimiar abaixo de 60 mV/dec, que é o limite teórico dos MOSFETs em temper
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::924fdcc49fba46f48433b5eeadb52ae8
https://doi.org/10.11606/d.3.2020.tde-16032021-105015
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Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Universidade de São Paulo (USP)
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Este trabalho foi realizado tendo como objetivo o estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC - Zero Temperature Coefficient) para transistores com estrutura SOI FinFET em relação aos efeitos de tensionamento e radiação, através da utiliza
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::60f9c87e94b6146fe81ed192fbab6f30
https://doi.org/10.11606/d.3.2017.tde-28062017-153626
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Em decorrência da necessidade de se obter circuitos integrados (CIs) cada vez mais velozes e consequentemente dando sequência à lei de Moore, a redução das dimensões dos dispositivos se torna necessária, aumentando assim a capacidade de integr
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0010ccc87343b447fd9f08f5f8ade079
Autor:
Alberto Vinicius de Oliveira
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Este trabalho apresenta um estudo que inclui a comparação experimental entre transistores de porta tripla (FinFETs) fabricados sobre lâminas de Silício-Sobre Isolante (SOI) e os fabricados diretamente sobre a lâmina de silício (de corpo). A car
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fa175001e089607c476d36acbeeabb35
Autor:
Victor De Bodt Sivieri
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Esse trabalho de mestrado teve como estudo o transistor Túnel-FET (TFET) fabricado em estrutura de nanofio de silício. Este estudo foi feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental. Foram estudadas as principais características di
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5c7d10ba8c9259cf42a8803fd89de318
Autor:
Bárbara Siano Alandia
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Neste trabalho foram fabricados diodos túnel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) com áreas de 300µm x 300?m e de 700?m x 700µm. Para o crescimento do oxinitreto de silício (SiOxNy), como dielétrico de porta, foi utilizado um forno térmico j
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::f6eeb63646a9059487ab73eae1ce14b5
Autor:
Maurício Pereira Regaço
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Universidade de São Paulo (USP)
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Este trabalho teve como objetivo o estudo e o desenvolvimento de dispositivos sensores de gás de amônia, utilizando filmes finos de Polianilina como camada ativa, depositados por polimerização in-situ. Em comparação com outros materiais, a poli
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