Zobrazeno 1 - 10
of 123
pro vyhledávání: '"Aoulaiche, Marc"'
Autor:
Nicoletti, Talitha, Santos, Sara Dereste dos, Martino, João Antonio, Aoulaiche, Marc, Veloso, Anabela, Jurczak, Malgorzata, Simoen, Eddy, Claeys, Cor
Publikováno v:
In Solid State Electronics January 2014 91:53-58
Autor:
Almeida, Luciano Mendes, Sasaki, Kátia Regina Akemi, Caillat, Christian, Aoulaiche, Marc, Collaert, Nadine, Jurczak, Malgorzata, Simoen, Eddy, Claeys, Cor, Martino, João Antonio
Publikováno v:
In Solid State Electronics December 2013 90:149-154
Autor:
de Andrade, Maria Glória Caño, Martino, João Antonio, Aoulaiche, Marc, Collaert, Nadine, Simoen, Eddy, Claeys, Cor
Publikováno v:
In Solid State Electronics May 2012 71:63-68
Autor:
Cho, Moonju, Akheyar, Amal, Aoulaiche, Marc, Degraeve, Robin, Ragnarsson, Lars-Åke, Tseng, Joshua, Hoffmann, Thomas Y., Groeseneken, Guido
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2011 62(1):67-71
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cho, Moonju, Aoulaiche, Marc, Degraeve, Robin, Kaczer, Ben, Kauerauf, Thomas, Ragnarsson, Lars-Åke, Adelmann, Christoph, Elshocht, Sven Van, Hoffmann, Thomas Y., Groeseneken, Guido
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2011 63(1):5-7
Autor:
Zahid, Mohamed, Pantisano, Luigi, Degraeve, Robin, Aoulaiche, Marc, Trojman, Lionel, Ferain, Isabelle, San Andres, Enrique, Schickova, Adeline, O'Connor, Rob, Groeseneken, Guido
Publikováno v:
ECS Transactions
ECS Transactions, 2008, 16 (5), pp.77
ECS Transactions, 2008, 16 (5), pp.77
International audience; onPFET's with EOT~ 1 nm shows a large hysteresis at high field in the Id-Vg characteristics, while nothing is sensed for nmos devices. An advanced charge pumping technique proves that this hysteresis in pmos is caused by hole
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::14dc6e0ed796f436798520e6874587fc
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02953461
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02953461
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cho, Moonju, Spessot, Alessio, Kaczer, Ben, Aoulaiche, Marc, Ritzenthaler, Romain, Schram, Tom, Fazan, Pierre, Horiguchi, Naoto, Linten, Dimitri
Publikováno v:
2015 International Conference on IC Design & Technology (ICICDT); 2015, p1-4, 4p
Autor:
Spessot, Alessio, Ritzenthaler, Romain, Schram, Tom, Aoulaiche, Marc, Cho, Moonju, Luque, Maria Toledano, Horiguchi, Naoto, Fazan, Pierre
Publikováno v:
2015 International Conference on IC Design & Technology (ICICDT); 2015, p1-4, 4p