Zobrazeno 1 - 10
of 145
pro vyhledávání: '"Antonov I. N."'
Publikováno v:
Mir Èkonomiki i Upravleniâ, Vol 16 (4), Pp 20-38 (2016)
The paper aims at investigating the joint distribution of currency rates using HAC, HKC and Vine copulas in several time periods. Models were constructed using Archimedean copulas including Gumbel-Hougaard, Joe BB1 and Frank copulas, and their parame
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a4ea176350484982bd0a7a67f478f613
Autor:
Kudrin, A. V., Lesnikov, V. P., Danilov, Yu. A., Dorokhin, M. V., Vikhrova, O. V., Antonov, I. N., Kriukov, R. N., Zubkov, S. Yu., Nikolichev, D. E., Konakov, A. A., Dudin, Yu. A., Kuznetsov, Yu. M., Sobolev, N. A., Temiryazeva, M. P.
The influence of He+ ion irradiation on the transport and magnetic properties of epitaxial layers of a diluted magnetic semiconductor (DMS) (In,Fe)Sb, a two-phase (In,Fe)Sb composite and a nominally undoped InSb semiconductor has been investigated. I
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1902.03465
Autor:
Mikhaylov, A. N., Morozov, O. A., Ovchinnikov, P. E., Antonov, I. N., Belov, A. I., Korolev, D. S., Koryazhkina, M. N., Sharapov, A. N., Gryaznov, E. G., Gorshkov, O. N., Kazantsev, V. B.
Construction and training principles have been proposed and tested for an artificial neural network based on metal-oxide thin-film nanostructures possessing bipolar resistive switching (memristive) effect. Experimental electronic circuit of neural ne
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1711.01041
Autor:
Kudrin, A. V., Danilov, Yu. A., Lesnikov, V. P., Vikhrova, O. V., Pavlov, D. A., Usov, Yu. V., Antonov, I. N., Krukov, R. N., Sobolev, N. A.
The (In,Fe)Sb layers with the Fe content up to 13 at. % have been grown on (001) GaAs substrates using the pulsed laser deposition. The TEM investigations show that the (In,Fe)Sb layers are epitaxial and free of the inclusions of a second phase. The
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.09318
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Antonov, I. N.1 (AUTHOR), Komarov, V. V.1 (AUTHOR) vyacheslav.komarov@gmail.com, Pimenov, A. N.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Feb2022, Vol. 48 Issue 2, p19-22. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Kruglov A. V., null Antonov I. N., null Kotomina V. E., null Shenina M. E., null Denisov S. A., null Shengurov V. G., null Gorshkov O. N., null Filatov D. O.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 49:3
The electrical parameters of the prototype memristors based on p-Si/p-Ge/n+-Si(001) epitaxial heterostructures with Ag and Ru electrodes have been studied. The memristors with Ru electrodes demonstrated smaller electroforming voltage and greater rati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::438963063f70b79a8042899c545ba6ed
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.01.55336.19367
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.01.55336.19367