Zobrazeno 1 - 10 of 61 pro vyhledávání: '"Ansari, Md. Hasan Raza"'
1
Report
Improvement in Retention Time of Capacitorless DRAM with Access Transistor
Autor: Ansari, Md. Hasan Raza, Singh, Jawar
In this paper, we propose a Junctionless (JL)/Accumulation Mode (AM) transistor with an access transistor (JL in series with JL/AM transistor) based capacitorless Dynamic Random Access Memory (1TDRAM) cell. The JL transistor overcomes the problem of
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1910.03907
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Nano-scale charge trapping memory based on two-dimensional conjugated microporous polymer.
Autor: Rezk, Ayman1 (AUTHOR), Ansari, Md. Hasan Raza2 (AUTHOR), Ranjeesh, Kayaramkodath Chandran3 (AUTHOR), Gaber, Safa3 (AUTHOR), Kumar, Dayanand2 (AUTHOR), Merhi, Areej4 (AUTHOR), Kaafarani, Bilal R.4 (AUTHOR), Hassine, Mohamed Ben5 (AUTHOR), El-Atab, Nazek2 (AUTHOR), Shetty, Dinesh3,6 (AUTHOR) dinesh.shetty@ku.ac.ae, Nayfeh, Ammar1 (AUTHOR) ammar.nayfeh@ku.ac.ae
Publikováno v: Scientific Reports. 11/1/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-13. 13p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
More physical understanding of current characteristics of tunneling field-effect transistor leveraged by gate positions and properties through dual-gate and gate-all-around structuring.
Autor: Ansari, Md. Hasan Raza1 (AUTHOR), Cho, Seongjae1 (AUTHOR), Park, Byung-Gook2 (AUTHOR) bgpark@snu.ac.kr
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Nov2020, Vol. 126 Issue 11, p1-5. 5p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje