Zobrazeno 1 - 10
of 201
pro vyhledávání: '"Annealing temperatures"'
Autor:
Zhou Zhang, Qiaomei Chen, Jing Wang, Chengyi Xiao, Zheng Tang, Christopher R. McNeill, Weiwei Li
Publikováno v:
Giant, Vol 19, Iss , Pp 100322- (2024)
The thin film morphology of double-cable conjugated polymers is critical to the performance of single-component organic solar cells (SCOSCs). Here, we explore the effect of thin film crystallinity on device performance by varying the thermal annealin
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/db7424363701458482402835e2a49b81
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Tunable Phase Structure in Mn-Doped Lead-Free BaTiO3 Crystalline/Amorphous Energy Storage Thin Films
Autor:
Jianlu Geng, Dongxu Li, Hua Hao, Qinghu Guo, Huihuang Xu, Minghe Cao, Zhonghua Yao, Hanxing Liu
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 4, p 649 (2023)
For dielectric energy storage materials, high polarization and high breakdown strengths are a long-standing challenge. A modulating crystalline/amorphous phase structure strategy is proposed by Mn-doping and annealing temperature to enhance the energ
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/588a0d94a628472290b30667fb78357b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 5, p 791 (2022)
A side ohmic contact mode for the double channel GaN/AlGaN epitaxial layer is proposed in this paper. Rectangle transmission line model (TLM) electrodes are prepared, and the specific contact resistance is tested at the annealing temperatures from 70
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1ae1795b4f5c41f9a4f6a8adede44049