Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Anne E. Staton-Bevan"'
Autor:
Xiaomei Zhang, Anne E Staton-Bevan
Publikováno v:
Microscopy of Semiconducting Materials, 1987
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::da3a3644eecb380f7c61f58d9a6f5c9b
https://doi.org/10.1201/9781003069621-49
https://doi.org/10.1201/9781003069621-49
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 82:4870-4876
Transmission electron microscopy (TEM) has been used to investigate the mechanisms of misfit strain relaxation in InxGa1−xAs epilayers grown on GaAs(111¯)B substrates misoriented 2° towards [211¯]. It was found that the relaxation was brought ab
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be27c78049c0cfdc37d18f0012107b12
https://doi.org/10.1063/1.366349
https://doi.org/10.1063/1.366349
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.