Výsledky vyhledávání - "Anhellemont, J.V."

Akademický článek

On the mechanism of {111}-defect formation in silicon studied by in situ electron irradiation in a high resolution electron microscope.

Autor: Fedina, L., Gutakovskii, A., Aseev, A., Landuyt, J. Van, Anhellemont, J.V.

Publikováno v: Philosophical Magazine A; Feb98, Vol. 77 Issue 2, p423-435, 13p

Zobrazit plný text záznamu