Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"Andryushkin, V.V."'
Autor:
Makhov, I.S., Kryzhanovskaya, N.V., Dragunova, A.S., Masyutin, D.A., Gladyshev, A.G., Babichev, A.V., Andryushkin, V.V., Nevedomsky, V.N., Uvarov, A.V., Papylev, D.S., Kolodeznyi, E.S., Novikov, I.I., Karachinsky, L.Ya, Egorov, A.Yu, Zhukov, A.E.
Publikováno v:
In Journal of Luminescence December 2024 276
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Bimberg D., null Egorov А. Yu., null Sapunov G.A., null Han S.Y., null Tian S.С., null Li H., null Ustinov V. M., null Zhumaeva I.O., null Voropaev K. O., null Denisov D. V., null Gladyshev A. G., null Bougrov V.E., null Andryushkin V.V., null Maleev N. A., null Kuzmenkov A. G., null Bobrov M. A., null Blokhin A. A., null Novikov I. I., null Karachinsky L. Ya., null Babichev A. V., null Blokhin S.A.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:598
The results of complex studies of static and dynamic performance of 1550 nm-range VCSELs, which were created by direct bonding (wafer fusion technique) InAlGaAs/InP optical cavity wafers with AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflector wafers grown by mo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a09eb762ffe67f1cb5ce687452dbb1b7
https://doi.org/10.21883/sc.2022.08.54120.9890
https://doi.org/10.21883/sc.2022.08.54120.9890
Autor:
null Bougrov V.E., null Egorov А. Yu., null Ustinov V. M., null Zhumaeva I.O., null Voropaev K. O., null Denisov D. V., null Rochas S. S., null Andryushkin V.V., null Nevedomskiy V. N., null Nadtochiy A.M., null Kuzmenkov A.G., null Maleev N.A., null Bobrov M. A., null Blokhin A.A., null Novikov I. I., null Karachinsky L. Ya., null Gladyshev A. G., null Babichev A. V., null Blokhin S.A.
Publikováno v:
Technical Physics. 67:2432
X-ray structural analysis and photoluminescence spectroscopy techniques were used to study heterostructures based on InGaAs/InAlGaAs superlattice for active regions of 1300 nm range lasers grown by molecular beam epitaxy. It is shown that the grown h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eebbe308a3c14b456c801bbaa4ac917a
https://doi.org/10.21883/tp.2022.15.55271.240-21
https://doi.org/10.21883/tp.2022.15.55271.240-21
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.