Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"Andrei, Mihnea"'
Autor:
Rosu, Andrei Mihnea1,2 (AUTHOR) andrei-mihnea.rosu@drd.umfcd.ro, Badea, Theodor Georgian2,3 (AUTHOR) theodor.badea@umfcd.ro, Tomescu, Florentina Luminita3,4 (AUTHOR) theodor.badea@umfcd.ro, Rosu, Andreea Liana5 (AUTHOR) andreea.rosu@bbraun.com, Radu, Emanuel Stefan1 (AUTHOR) radu.emanuel@dcti.ro, Popa, Oana Andreea1 (AUTHOR) popa.oana@dcti.ro, Andrei, Liliana Catalina6 (AUTHOR) catalina.andrei@umfcd.ro, Sinescu, Crina Julieta6 (AUTHOR) crina.sinescu@umfcd.ro
Publikováno v:
Journal of Clinical Medicine. Oct2024, Vol. 13 Issue 20, p6287. 22p.
Autor:
Andrei, Mihnea S., Hsu, John S. J.
The Black-Litterman model combines investors' personal views with historical data and gives optimal portfolio weights. In this paper we will introduce the original Black-Litterman model (section 1), we will modify the model such that it fits in a Bay
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1811.09309
Autor:
Andrei, Mihnea Stefan
Publikováno v:
Masters Theses (All Theses, All Years).
During the most recent financial crisis, a myriad of banks defaulted. This scenario encouraged the development of a mathematical model for how default spreads through a system of banks. As we will see, the problem brings together ideas from many fiel
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 49:2301-2307
Hot-electron current in an n-channel MOSFET at high drain bias and on or off gate bias generates secondary currents amounting to a fraction of the primary (drain) current, in a surrounding n-well and the underlying p-substrate for a triple well devic
Effects of Source Diffusion on SILC and Cycling-Induced Charge Loss in Source-Bias Erase Flash Cells
Autor:
Andrei Mihnea, Kirk D. Prall, Andrew Bicksler, Chun Chen, Jeffrey Alan Kessenich, W. Kinney, L.R. Nevill, R. Ghodsi, Paul J. Rudeck
Publikováno v:
2006 21st IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop.
A recent report reveals that in source-bias erase flash cells, light source doping can cause room temperature erratic charge loss after program/erase cycling. In this paper, we present tunnel oxide hole trapping and stress induced leakage current (SI
Autor:
GANE, Andrei Mihnea
Publikováno v:
Pandectele Române; 2017, Issue 3, p72-88, 17p