Výsledky vyhledávání - "Andreeva, V. D."

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Specific Features of the IR Reflectance and Raman Spectra of Sb2Te3 - xSex Crystals.

Autor: Nemov, S. A.^1,2 nemov_s@mail.ru, Andreeva, V. D.¹, Ulashkevich, Yu. V.³, Povolotsky, A. V.⁴, Allahkhah, A. A.¹

Publikováno v: Semiconductors. Oct2018, Vol. 52 Issue 10, p1317-1322. 6p.

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Radiation Damage Accumulation in α-Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- under P and PF-=SUB=-4-=/SUB=- Ion Bombardment

Autor: null Titov A. I., null Andreeva V. D., null Nikolaev V. I., null Pechnikov A. I., null Struchkov A. I., null Karabeshkin K. V., null Karaseov P. A.

Publikováno v: Semiconductors. 56:664

We study radiation damage accumulation in alpha polymorph of gallium oxide (α-Ga2O3) epitaxial layers under irradiation with 40 keV monatomic P and 140 keV molecular PF4 ions. The distribution of stable structural damage is bimodal in both cases. Th

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7afd8a496c18e65b3beefb10216bb150
https://doi.org/10.21883/sc.2022.09.54132.9928

Zobrazit plný text záznamu