Zobrazeno 1 - 10 of 126 pro vyhledávání: '"Andersson, T. G."'
1
Akademický článek
Effects of small amounts of Al in GaN grown on sapphire (0001) by molecular beam epitaxy.
Autor: Zsebo¨k, O., Thordson, J. V., Zhao, Q. X., Andersson, T. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/2001, Vol. 89 Issue 3, p1954, 5p, 1 Black and White Photograph, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Inverse parabolic quantum well and its quantum-confined Stark effect.
Autor: Chen, W. Q., Wang, S. M., Andersson, T. G., Thordson, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1993, Vol. 74 Issue 10, p6247, 4p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Self-consistent analysis of electric field-dependent intersubband transitions for a thin layer inserted quantum well.
Autor: Chen, W. Q., Andersson, T. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/1/1993, Vol. 73 Issue 9, p4484, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
The interfacial morphology of strained epitaxial InxGa1-xAs/GaAs.
Autor: Yao, J. Y., Andersson, T. G., Dunlop, G. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1991, Vol. 69 Issue 4, p2224, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Investigation of high-quality GaAs:In layers grown by molecular-beam epitaxy.
Autor: Uddin, A., Andersson, T. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1989, Vol. 65 Issue 8, p3101, 6p, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Al-GaAs (001) Schottky barrier formation.
Autor: Svensson, S. P., Landgren, G., Andersson, T. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1983, Vol. 54 Issue 8, p4474-4481, 8p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Quantitative evaluation of structure in coalescence grown discontinuous metal films.
Autor: Norrman, S. H., Andersson, T. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1981, Vol. 52 Issue 11, p6673-6684, 12p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Photoluminescence study of Al doping in GaAs grown by molecular-beam epitaxy.
Autor: Qurashi, Umar S., Iqbal, M. Zafar, Andersson, T. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1996, Vol. 80 Issue 10, p5932, 9p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Effects of Al doping on deep levels in molecular-beam-epitaxy GaAs.
Autor: Qurashi, Umar S., Iqbal, M. Zafar, Baber, N., Andersson, T. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1995, Vol. 78 Issue 8, p5035, 7p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Observation of excitonic polariton and broadening of room-temperature exciton in strained InGaAs/GaAs quantum wells.
Autor: Shen, W. Z., Shen, S. C., Tang, W. G., Wang, S. M., Andersson, T. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1995, Vol. 78 Issue 2, p1178, 5p, 2 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje