Zobrazeno 1 - 10
of 486
pro vyhledávání: '"Anderson's rule"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physical Review B. 97
Van der Waals (vdW) heterostructures are promising candidates for building blocks in novel electronic and optoelectronic devices with tailored properties, since their electronic action is dominated by the band alignments upon their contact. In this w
Autor:
Ke Yang, Tao Huang, Hong-Yu Wu, Wei-Qing Huang, Ji-Chun Lian, Yuan Si, Gui-Fang Huang, Wangyu Hu
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 119:043102
The heart of current high-throughput computational design for two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) functional heterostructures is Anderson's rule (AR). This non-interacting model, however, inevitably introduces error and uncertainty in design res
Autor:
Mingyuan Yao, Ke Xu, Gang Ni, Costas M. Soukoulis, Heyuan Zhu, Bo Peng, Hong-Liang Lu, Hao Zhang, Hezhu Shao, Yuanfeng Xu, Jing Li
Publikováno v:
Physical chemistry chemical physics : PCCP. 20(48)
Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) MX2 (M = Mo, W; X = S, Se, Te) possess unique properties and novel applications in optoelectronics, valleytronics and quantum computation. In this work, we performed first-principles calcul
Autor:
Si, Yuan1 (AUTHOR), Lian, Ji-Chun1 (AUTHOR), Yang, Ke1 (AUTHOR), Huang, Tao1 (AUTHOR), Huang, Wei-Qing1 (AUTHOR) wqhuang@hnu.edu.cn, Hu, Wang-Yu2 (AUTHOR), Huang, Gui-Fang1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. Jul2022, Vol. 16 Issue 7, p1-10. 10p.
Publikováno v:
In Surfaces and Interfaces March 2024 46
Epitaxial growth of the strongly lattice mismatched (6.5%) layered chalcogenides InSe and GaSe on each other is obtained with the concept of van der Waals epitaxy as proven by low���energy electron diffraction and scanning tunnel microscope. In
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0a3d8f7add7770ab67e784a455448616