Zobrazeno 1 - 10
of 267
pro vyhledávání: '"Anastasiou, K"'
Autor:
Prasad, A., Middlemiss, R. P., Anastasiou, K., Bramsiepe, S. G., Noack, A., Paul, D. J., Toland, K., Utting, P. R., Hammond, G. D.
The measurement of tiny variations in local gravity enables the observation of subterranean features. Gravimeters have historically been extremely expensive instruments, but usable gravity measurements have recently been conducted using MEMS (microel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2109.13715
Autor:
Bonanos, A. Z., Yang, M., Sokolovsky, K. V., Gavras, P., Hatzidimitriou, D., Bellas-Velidis, I., Kakaletris, G., Lennon, D. J., Nota, A., White, R. L., Whitmore, B. C., Anastasiou, K. A., Arévalo, M., Arviset, C., Baines, D., Budavari, T., Charmandaris, V., Chatzichristodoulou, C., Dimas, E., Durán, J., Georgantopoulos, I., Karampelas, A., Laskaris, N., Lianou, S., Livanis, A., Lubow, S., Manouras, G., Moretti, M. I., Paraskeva, E., Pouliasis, E., Rest, A., Salgado, J., Sonnentrucker, P., Spetsieri, Z. T., Taylor, P., Tsinganos, K.
The Hubble Space Telescope (HST) has obtained multi-epoch observations providing the opportunity for a comprehensive variability search aiming to uncover new variables. We have therefore undertaken the task of creating a catalog of variable sources b
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.10757
Autor:
Peimyoo, N., Barnes, M. D., Mehew, J. D., De Sanctis, A., Amit, I., Escolar, J., Anastasiou, K., Rooney, A. P., Haigh, S. J., Russo, S., Craciun, M. F., Withers, F.
Like silicon-based semiconductor devices, van der Waals heterostructures will require integration with high-K oxides. This is needed to achieve suitable voltage scaling, improved performance as well as allowing for added functionalities. Unfortunatel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1811.04829
Autor:
Anastasiou, Kim, Ribeiro De Melo, Patricia, Slater, Scott, Hendrie, Gilly A, Hadjikakou, Michalis, Baker, Phillip K, Lawrence, Mark Andrew, Anastasiou, K, Ribeiro De Melo, P, Slater, S, Hendrie, G A, Hadjikakou, M, Baker, P K, Lawrence, M
Publikováno v:
Public Health Nutrition; Nov2023, Vol. 26 Issue 11, p2539-2550, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Peimyoo, N., Barnes, M. D., Mehew, J. D., De Sanctis, A., Amit, I., Escolar, J., Anastasiou, K., Rooney, A. P., Haigh, S. J., Russo, S., Craciun, M. F., Withers, F.
Publikováno v:
Science advances, 2019, Vol.5(1), pp.eaau0906 [Peer Reviewed Journal]
Peimyoo, N, Barnes, M D, Mehew, J D, De Sanctis, A, Amit, I, Escolar, J, Anastasiou, K, Rooney, A P, Haigh, S J, Russo, S, Craciun, M F & Withers, F 2019, ' Laser-writable high-k dielectric for van der Waals nanoelectronics ', Science Advances, vol. 5, no. 1, eaau0906 . https://doi.org/10.1126/sciadv.aau0906
Peimyoo, N, Barnes, M D, Mehew, J D, De Sanctis, A, Amit, I, Escolar, J, Anastasiou, K, Rooney, A P, Haigh, S J, Russo, S, Craciun, M F & Withers, F 2019, ' Laser-writable high-k dielectric for van der Waals nanoelectronics ', Science Advances, vol. 5, no. 1, eaau0906 . https://doi.org/10.1126/sciadv.aau0906
Similar to silicon-based semiconductor devices, van der Waals heterostructures require integration with high-k oxides. Here, we demonstrate a method to embed and pattern a multifunctional few-nanometer-thick high-k oxide within various van der Waals
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::82b573228b7ca04dedd491679302d5ff
http://dro.dur.ac.uk/27254/1/27254.pdf
http://dro.dur.ac.uk/27254/1/27254.pdf