Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Analog and RF figures of merit"'
Autor:
Valeriya Kilchytska, Sergej Makovejev, Babak Kazemi Esfeh, Lucas Nyssens, Arka Halder, Jean-Pierre Raskin, Denis Flandre
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 500-510 (2021)
This review paper assesses the main approaches in the electrical characterization of advanced MOSFETs towards their future analog and RF applications. Those approaches are shown to be different from the traditionally used ones for the assessment of t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cdb66ae5dc3c41f7ad244224734162ac
Autor:
Sergej Makovejev, Denis Flandre, Arka Halder, Jean-Pierre Raskin, Valeriya Kilchytska, Lucas Nyssens, Babak Kazemi Esfeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 500-510 (2021)
I E E E Journal of the Electron Devices Society, Vol. 9, p. 500-510 (2021)
I E E E Journal of the Electron Devices Society, Vol. 9, p. 500-510 (2021)
This review paper assesses the main approaches in the electrical characterization of advanced MOSFETs towards their future analog and RF applications. Those approaches are shown to be different from the traditionally used ones for the assessment of t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7c6284e2ef1479dd0b8f2e0153f7c067
https://ieeexplore.ieee.org/document/9349757/
https://ieeexplore.ieee.org/document/9349757/
Publikováno v:
Solid-State Electronics, Vol. 159, no.September 2019, p. 77-82 (2019)
This work presents a detailed characterization of 28 nm FDSOI CMOS process at cryogenic temperatures. Electrostatic, Analog and RF Figures of Merit (FoM) are studied. At liquid nitrogen temperatures, 30% to 200% enhancement of drain current, Id, and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e322f3aa60ddaddab867683e7263c0a1
https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.03.039
https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.03.039
Autor:
Kilchytska, Valeriya, Makovejev, Sergej, Kazemi Esfeh , Babak, Nyssens, Lucas, Halder, Arka, Raskin, Jean-Pierre, Flandre, Denis, 2020 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC)
Publikováno v:
2020 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC).
This invited paper reviews main approaches in the electrical characterization of advanced MOSFETs towards their target analog and RF applications. Advantages and necessity of those techniques will be demonstrated on different study cases of various a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::23cf69ffa0dc336326bf6baf1c1c2661
https://doi.org/10.1109/laedc49063.2020.9073536
https://doi.org/10.1109/laedc49063.2020.9073536
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.