Zobrazeno 1 - 10
of 1 663
pro vyhledávání: '"Amorphous oxide"'
Autor:
Jaewook Yoo, Hyeun Seung Jo, Seung‐Bae Jeon, Taehwan Moon, Hongseung Lee, Seongbin Lim, Hyeonjun Song, Binhyeong Lee, Soon Joo Yoon, Soyeon Kim, Minah Park, Seohyeon Park, Jo Hak Jeong, Keun Heo, Yoon Kyeung Lee, Peide D. Ye, TaeWan Kim, Hagyoul Bae
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 8, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The amorphous In─Ga─Zn─O (a‐IGZO) thin film transistors (TFTs) have attracted attention as a cell transistor for the next generation DRAM architecture because of its low leakage current, high mobility, and the back‐end‐of‐line
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1eabcbe2b2df4a7f963d06ee90c48fc3
Autor:
I. I. Fishchuk
Publikováno v:
Âderna Fìzika ta Energetika, Vol 25, Iss 1, Pp 66-71 (2024)
The amorphous material films are resistant to high-energy irradiation. Therefore, devices built using the properties of these materials can work in conditions of increased radiation much longer than devices using the properties of crystals. An import
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1fdec20e70af47e6becbf98b5d453f05
Autor:
Seungho Song, Changsoon Choi, Jongtae Ahn, Je‐Jun Lee, Jisu Jang, Byoung‐Soo Yu, Jung Pyo Hong, Yong‐Sang Ryu, Yong‐Hoon Kim, Do Kyung Hwang
Publikováno v:
InfoMat, Vol 6, Iss 2, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract To overcome the intrinsic inefficiency of the von Neumann architecture, neuromorphic devices that perform analog vector–matrix multiplication have been highlighted for achieving power‐ and time‐efficient data processing. In particular,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c2b9cfc26597451d8e81f5573efae70f
Autor:
Jack Strand, Alexander L. Shluger
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 11, Iss 8, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Understanding defects in amorphous oxide films and heterostructures is vital to improving performance of microelectronic devices, thin‐film transistors, and electrocatalysis. However, to what extent the structure and properties of point de
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/009ec7896a1244b598825e307868b835
Autor:
Wonjun Shin, Ji Ye Lee, Ryun‐Han Koo, Jangsaeng Kim, Jong‐Ho Lee, Sang Yeol Lee, Sung‐Tae Lee
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 2, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The presence of low‐frequency noise (LFN) in amorphous oxide semiconductor (AOS) thin‐film transistors (TFTs) is of utmost concern, prompting extensive investigations into the analysis of LFN. However, prior research endeavors have tende
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d5f21a7ab8574cf5b59cd0647d10dbe0
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 10, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract High‐performance, coplanar amorphous In0.5Ga0.5O (a‐IGO) thin film transistor (TFT) on a polyimide (PI) substrate deposited by spray pyrolysis (SP) is reported. The SP a‐IGO film deposited at 370 °C has less than 8% nanocrystalline‐
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0b25df36569e4da692cae0afe96062a6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.