Zobrazeno 1 - 10
of 173
pro vyhledávání: '"Amorphous InGaZnO (a-IGZO)"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 159-164 (2024)
This paper reports a performance optimized operational amplifier (OPAMP) using transconductance enhancement topology based on the amorphous indium- gallium-zinc-oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs). The performance of TFTs is enhanced by N2O p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ec66fa3d8b8c4dc88f9d973f9034bcef
Autor:
Jih-Chao Chiu, Song-Ling Li, Ming-Xuan Lee, Chia-Chun Yen, Tsang-Long Chen, Cheng-Hsu Chou, C. W. Liu
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 45-50 (2022)
The double-layer a-IGZO thin film transistors (DL-TFTs) using a quantum well channel and a top barrier can reduce the subthreshold swing and hysteresis by 0.73 $\times$ and 0.13 $\times$ , respectively, in the transfer characteristics using the botto
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0049a41459f74d09b13137704ab0076c
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 814-819 (2021)
The effects of Ti incorporation in La2O3 gate dielectric on the electrical characteristics of amorphous InGaZnO thin-film transistor are studied. Compared to the control sample with La2O3 gate dielectric, the device performance can be significantly i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/47e255052609415ebf5a56e3181de9e5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 12, p 2099 (2022)
Amorphous InGaZnO thin film transistors (a-IGZO TFTs) with double-stacked channel layers (DSCL) were quite fit for ultraviolet (UV) light detection, where the best DSCL was prepared by the depositions of oxygen-rich (OR) IGZO followed by the oxygen-d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7f3f34bf1c90495ea665ad7318c2651f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 12, p 1551 (2021)
We investigated the electrical performance and positive bias stress (PBS) stability of the amorphous InGaZnO thin-film transistors (a-IGZO TFTs) with SiOx passivation layers after the post-annealing treatments in different atmospheres (air, N2, O2 an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b7643e59748d4de4a7e9b7047f91e498